CDBJFSC10650-G
- Modello di prodotti:
- CDBJFSC10650-G
- fabbricante:
- Comchip Technology
- Descrizione:
- DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
- Stato RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità in magazzino:
- 35112 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempi di produzione:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- CDBJFSC10650-G.pdf
introduzione
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Specifiche
| Numero di parte interno | RO-CDBJFSC10650-G |
|---|---|
| Condizione | Original New |
| Paese di origine | Contact us |
| Contrassegno superiore | email us |
| Sostituzione | See datasheet |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1.7V @ 10A |
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 650V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220F |
| Velocità: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 0ns |
| Contenitore / involucro: | TO-220-2 Full Pack |
| Altri nomi: | 641-1934 |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -55°C ~ 175°C |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo diodo: | Silicon Carbide Schottky |
| Descrizione dettagliata: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A (DC) Through Hole TO-220F |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 100µA @ 650V |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 10A (DC) |
| Capacità a Vr, F: | 710pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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