CDBJFSC10650-G
- Número de pieza:
- CDBJFSC10650-G
- Fabricante:
- Comchip Technology
- Descripción:
- DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 35112 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- CDBJFSC10650-G.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-CDBJFSC10650-G |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.7V @ 10A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 650V |
| Paquete del dispositivo: | TO-220F |
| Velocidad: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 0ns |
| Paquete / Cubierta: | TO-220-2 Full Pack |
| Otros nombres: | 641-1934 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo: | Silicon Carbide Schottky |
| Descripción detallada: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A (DC) Through Hole TO-220F |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 100µA @ 650V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 10A (DC) |
| Capacitancia Vr, F: | 710pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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