CDBJFSC10650-G
- Artikelnummer:
- CDBJFSC10650-G
- Hersteller:
- Comchip Technology
- Beschreibung:
- DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 35112 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- CDBJFSC10650-G.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-CDBJFSC10650-G |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If: | 1.7V @ 10A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max): | 650V |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-220F |
| Geschwindigkeit: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie: | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr): | 0ns |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-220-2 Full Pack |
| Andere Namen: | 641-1934 |
| Betriebstemperatur - Anschluss: | -55°C ~ 175°C |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 16 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diodentyp: | Silicon Carbide Schottky |
| detaillierte Beschreibung: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A (DC) Through Hole TO-220F |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr: | 100µA @ 650V |
| Strom - Richt (Io): | 10A (DC) |
| Kapazität @ Vr, F: | 710pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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