CDBJFSC10650-G
- Номер на частта:
- CDBJFSC10650-G
- Производител:
- Comchip Technology
- описание:
- DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
- Статус на RoHS:
- Без олово / RoHS съвместим
- Количество на склад:
- 35112 Pieces
- Време за доставка:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Време за производство:
- 4-8 weeks
- Информационен лист:
- CDBJFSC10650-G.pdf
Въведение
We can supply CDBJFSC10650-G, use the request quote form to request CDBJFSC10650-G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number CDBJFSC10650-G.The price and lead time for CDBJFSC10650-G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# CDBJFSC10650-G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификации
| Вътрешен номер на част | RO-CDBJFSC10650-G |
|---|---|
| състояние | Original New |
| Произход на страната | Contact us |
| Най-висока маркировка | email us |
| Замяна | See datasheet |
| Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: | 1.7V @ 10A |
| Напрежение - DC обратна (Vr) (макс.): | 650V |
| Пакет на доставчик на устройства: | TO-220F |
| скорост: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| серия: | - |
| Време за обратно възстановяване (trr): | 0ns |
| Пакет / касета: | TO-220-2 Full Pack |
| Други имена: | 641-1934 |
| Работна температура - връзка: | -55°C ~ 175°C |
| Тип монтаж: | Through Hole |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Производител Стандартно време за доставка: | 16 Weeks |
| Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип диод: | Silicon Carbide Schottky |
| Подробно описание: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A (DC) Through Hole TO-220F |
| Текущо - обратно изтичане @ Vr: | 100µA @ 650V |
| Текущи - Средно ректифицирани (Io): | 10A (DC) |
| Капацитет @ Vr, F: | 710pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Свързани части за CDBJFSC10650-G
Latest News
- Toshiba стартира SmartMCD Series Gate Driver IC с вграден микроконтролер
- Комплект за разгръщане на ADI Sambanova, насърчавайки производствената формула AI за постигане на пробив на ниво предприятие
- Honeywell и Adi се присъединиха към насърчаването на иновациите и промяната на автоматизацията на сградите
- Максим обяви старта
- Maxim стартира автомобил DC-DC Converter Max16984, автомобил с интегрирани USB зареждащи изброяващи изброяващи
- Renesas Electronics стартира първия програмируем електрически драйвер в индустрията IC
- Renesas стартира първото поколение 32-битово RISC-V CPU ядро
- Vishay стартира новото съединение с ниска сила 10 Mbd, едва 5 mA, диапазонът на напрежението е 2,7 V до 5,5 V
- Melexis стартира ново решение за интелигентно отклонение за интегриране на надеждна сигурност
- Toshiba е разработил първия 2200V модул с двойно карбид MOSFET в индустрията, за да помогне за ефективността и миниатюризацията на индустриалното оборудване
- Ерата на DDR5 се приближава и новите предизвикателства не могат да бъдат игнорирани
- Renesas отваря следващата карта на автомобила SOC и MCU Processor Product Route Map