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WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, es la empresa conjunta global entre NXP Semiconductors N.V. y Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors se inauguró oficialmente el 19 de enero de 2016 con el centro de negocios y operaciones ubicado en Shanghai, China. WeEn Semiconductors está registrada en la ciudad de Nanchang, que es la capital de la provincia de Jiangxi, China. Es propietaria total de subsidiarias y sucursales en la ciudad de Jilin para la producción bipolar, en Shanghai y el Reino Unido para I + D y soporte de producción, en Hong Kong para actividades de ventas y en muchos otros países para ventas y servicios al cliente, respectivamente.
Como actor clave en la industria de semiconductores, WeEn combina la avanzada tecnología de energía bipolar y el fuerte recurso de JAC Capital en la industria manufacturera y los canales de distribución chinos, para centrarse en el desarrollo de una cartera completa de productos de energía bipolar líderes en la industria, incluidos los rectificadores controlados por silicio. diodos de potencia, transistores de alto voltaje, carburo de silicio que se utilizan ampliamente en los mercados de automóviles, telecomunicaciones, computadoras y electrónica de consumo, electrodomésticos inteligentes, iluminación y administración de energía. El objetivo es ayudar a los clientes a lograr una mayor eficiencia en los costos y la producción y contribuir al desarrollo de China y la fabricación inteligente global.
La cartera de productos de la División Bi-Polar de NXP (diodos, tiristores y transistores) se ha transferido a WeEn Semiconductors (19 de enero de 2017).
Imagen Número de pieza Descripción Ver
BTA201-800E,116 Image BTA201-800E,116 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Investigación
BT137X-800/L02,127 Image BT137X-800/L02,127 TRIAC 800V 8A TO220F Investigación
BYV32E-100,127 Image BYV32E-100,127 DIODE ARRAY GP 100V 20A TO220AB Investigación
Z0107MN,135 Image Z0107MN,135 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 Investigación
BTA316X-600C/L02Q BTA316X-600C/L02/TO-220F/STAND Investigación
BUJD203A,127 Image BUJD203A,127 TRANS NPN 425V 4A TO220AB Investigación
BYQ28E-200E,127 Image BYQ28E-200E,127 DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB Investigación
BYC30W-600PQ Image BYC30W-600PQ DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2 Investigación
BUJD203AX,127 Image BUJD203AX,127 TRANS NPN 425V 4A TO-220F Investigación
BTA208X-800E,127 Image BTA208X-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 8A TO220-3 Investigación
BT151X-500C,127 Image BT151X-500C,127 THYRISTOR 500V 12A TO-220F Investigación
BTA212B-600E,118 Image BTA212B-600E,118 TRIAC SENS GATE 600V 12A D2PAK Investigación
BYV40E-150,115 Image BYV40E-150,115 DIODE ARRAY GP 150V 1.5A SC73 Investigación
BYC8-1200PQ BYC8-1200PQ/TO-220AC/STANDARD MA Investigación
BTA208X-600F,127 Image BTA208X-600F,127 TRIAC 600V 8A TO220-3 Investigación
BTA208S-800E,118 Image BTA208S-800E,118 TRIAC SENS GATE 800V 8A DPAK Investigación
OT391,412 Image OT391,412 TRIAC TO92-3 Investigación
BT151-1000RT,127 Image BT151-1000RT,127 THYRISTOR 1000V 12A TO220AB Investigación
BT169H/L01EP Image BT169H/L01EP THYRISTOR SCR 800V TO-92 Investigación
BT258-500R,127 Image BT258-500R,127 THYRISTOR 500V 8A TO220AB Investigación
BTA416Y-800C,127 TRIAC 800V 16A TO220AB Investigación
NXPSC10650Q Image NXPSC10650Q DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC Investigación
BYV29X-500,127 Image BYV29X-500,127 DIODE GEN PURP 500V 9A TO220F Investigación
ACTT8-800C0TQ ACTT8-800C0T/SIL3P/STANDARD MA Investigación
OT393,115 Image OT393,115 TRIAC SC73 Investigación
BYQ28ED-200,118 Image BYQ28ED-200,118 DIODE ARRAY GP 200V 10A DPAK Investigación
BTA204X-800E,127 Image BTA204X-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 4A TO220-3 Investigación
BT151S-650SJ BT151S-650S/DPAK/REEL 13" Q1/T Investigación
TYN20B-600T,118 Image TYN20B-600T,118 SCR 600V 210A D2PAK Investigación
BT134W-800,115 Image BT134W-800,115 TRIAC 800V 1A SC73 Investigación
NXPSC20650WQ DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247 Investigación
BT148W-600R,115 Image BT148W-600R,115 THYRISTOR 1A 600V SOT-223 Investigación
BTA308Y-800C0TQ BTA308Y-800C0T/IITO220 /STANDARD Investigación
BTA410X-600BT,127 Image BTA410X-600BT,127 TRIAC 600V 10A TO220F Investigación
BTA316B-600B0J Image BTA316B-600B0J TRIAC 600V 16A D2PAK Investigación
BT138X-800/L02Q BT138X-800/L02/TO-220F/STANDAR Investigación
BTA420X-800CT/L03Q BTA420X-800CT/L03/TO-220F/STAN Investigación
BYV430J-600PQ DIODE ARRAY GP 600V 30A TO3P Investigación
BTA312-800CT,127 Image BTA312-800CT,127 TRIAC 800V 12A TO-220AB Investigación
BT131-600DQP Image BT131-600DQP TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Investigación
BTA216X-600F,127 Image BTA216X-600F,127 TRIAC 600V 16A TO220-3 Investigación
BT136-600D/DG,127 Image BT136-600D/DG,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A TO220AB Investigación
OB2003/001V OB2003/001V/NAU000/NO MARK*CHIPS Investigación
BTA310-600E,127 Image BTA310-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 10A TO220AB Investigación
BTA316-800B,127 Image BTA316-800B,127 TRIAC 800V 16A TO220AB Investigación
BT139-600E/DG,127 Image BT139-600E/DG,127 TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220AB Investigación
BT151X-800C,127 Image BT151X-800C,127 THYRISTOR 800V 12A TO-220F Investigación
BYC10B-600,118 Image BYC10B-600,118 DIODE GEN PURP 500V 10A D2PAK Investigación
BT131-800EQP BT131-800E/TO-92/STANDARD MARK Investigación
TYN16X-600CT,127 Image TYN16X-600CT,127 IC SCR 16A 600V TO-220F Investigación
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