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WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, es la empresa conjunta global entre NXP Semiconductors N.V. y Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors se inauguró oficialmente el 19 de enero de 2016 con el centro de negocios y operaciones ubicado en Shanghai, China. WeEn Semiconductors está registrada en la ciudad de Nanchang, que es la capital de la provincia de Jiangxi, China. Es propietaria total de subsidiarias y sucursales en la ciudad de Jilin para la producción bipolar, en Shanghai y el Reino Unido para I + D y soporte de producción, en Hong Kong para actividades de ventas y en muchos otros países para ventas y servicios al cliente, respectivamente.
Como actor clave en la industria de semiconductores, WeEn combina la avanzada tecnología de energía bipolar y el fuerte recurso de JAC Capital en la industria manufacturera y los canales de distribución chinos, para centrarse en el desarrollo de una cartera completa de productos de energía bipolar líderes en la industria, incluidos los rectificadores controlados por silicio. diodos de potencia, transistores de alto voltaje, carburo de silicio que se utilizan ampliamente en los mercados de automóviles, telecomunicaciones, computadoras y electrónica de consumo, electrodomésticos inteligentes, iluminación y administración de energía. El objetivo es ayudar a los clientes a lograr una mayor eficiencia en los costos y la producción y contribuir al desarrollo de China y la fabricación inteligente global.
La cartera de productos de la División Bi-Polar de NXP (diodos, tiristores y transistores) se ha transferido a WeEn Semiconductors (19 de enero de 2017).
Imagen Número de pieza Descripción Ver
BT139X-800/L02Q BT139X-800/L02/TO-220F/STANDAR Investigación
BTA225B-800B,118 Image BTA225B-800B,118 TRIAC 800V 25A D2PAK Investigación
BTA204W-600F,135 Image BTA204W-600F,135 TRIAC 600V 1A SC73 Investigación
BT137X-600,127 Image BT137X-600,127 TRIAC 600V 8A TO220-3 Investigación
BTA316B-600C,118 Image BTA316B-600C,118 TRIAC 600V 16A D2PAK Investigación
BTA140-600-0TQ BTA140-600-0T/SIL3P/STANDARD M Investigación
BYV430K-300PQ DIODE ARRAY GP 300V 30A TO3P Investigación
BTA212X-800E,127 Image BTA212X-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 12A TO220-3 Investigación
BUJ100,412 Image BUJ100,412 TRANS NPN 400V 1A TO92 Investigación
NXL0840,412 Image NXL0840,412 SCR LOGIC LEVEL 400V 0.5A TO-92 Investigación
BTA140-600G0TQ BTA140-600G0T/SIL3P/STANDARD M Investigación
BT169G-LML BT169G-L/TO-92/STANDARD MARKIN Investigación
BT169B,126 Image BT169B,126 THYRISTOR 200V 0.8A SOT54 Investigación
ACT108W-600D,135 Image ACT108W-600D,135 TRIAC SENS GATE 600V 0.8A SC73 Investigación
BT136S-600D,118 Image BT136S-600D,118 TRIAC SENS GATE 600V 4A DPAK Investigación
BYC15X-600PQ Image BYC15X-600PQ DIODE GEN PURP 600V 15A TO220F Investigación
BT134W-600E,115 Image BT134W-600E,115 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 Investigación
BT139-600G0Q BT139-600G0/SIL3P/STANDARD MAR Investigación
BTA204X-600E,127 Image BTA204X-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A TO220-3 Investigación
BTA330Y-800CTQ BTA330Y-800CT/SIL3P/STANDARD M Investigación
BYC30X-600P,127 Image BYC30X-600P,127 DIODE GEN PURP 600V 30A TO220F Investigación
Z0103MA,116 Image Z0103MA,116 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Investigación
BTA206-800ET,127 Image BTA206-800ET,127 TRIAC SENS GATE 800V 6A TO220AB Investigación
ACTT8X-800CTNQ ACTT8X-800CTN/TO-220F/STANDARD Investigación
BYT79X-600,127 Image BYT79X-600,127 DIODE GEN PURP 600V 15A TO220F Investigación
BYV42G-200,127 Image BYV42G-200,127 DIODE ARRAY GP 200V 30A I2PAK Investigación
MAC223A6,127 Image MAC223A6,127 TRIAC 400V 25A TO220AB Investigación
BT134W-600,115 Image BT134W-600,115 TRIAC 600V 1A SC73 Investigación
BTA216X-600B,127 Image BTA216X-600B,127 TRIAC 600V 16A TO220-3 Investigación
BTA208-800B/DG,127 Image BTA208-800B/DG,127 TRIAC 800V 8A TO220AB Investigación
BT151X-800R,127 Image BT151X-800R,127 THYRISTOR 800V 12A SOT186A Investigación
BTA2008-600EQP BTA2008-600E/TO-92/STANDARD MA Investigación
BT136S-800,118 Image BT136S-800,118 TRIAC 800V 4A DPAK Investigación
BTA316-800B0,127 Image BTA316-800B0,127 TRIAC 800V 16A TO220AB Investigación
BT236X-600F,127 Image BT236X-600F,127 TRIAC 600V 6A TO220-3 Investigación
BTA208-600D,127 Image BTA208-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 8A TO220AB Investigación
BT300S-600R,118 Image BT300S-600R,118 THYRISTOR 8A 600V DPAK Investigación
BT151-500RT,127 Image BT151-500RT,127 THYRISTOR 12A 500V TO220AB Investigación
BYV410X-600,127 Image BYV410X-600,127 DIODE ARRAY UF 600V 10A TO220-3 Investigación
BTA312-600CT,127 Image BTA312-600CT,127 TRIAC 600V 12A TO220AB Investigación
BTA212X-600B,127 Image BTA212X-600B,127 TRIAC 600V 12A TO220-3 Investigación
BT139X-600E,127 Image BT139X-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220-3 Investigación
ACTT8-800CTNQ ACTT8-800CTN/SIL3P/STANDARD MA Investigación
BYV25X-600,127 Image BYV25X-600,127 DIODE GEN PURP 600V 5A TO220F Investigación
BYV430W-300PQ DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247-3 Investigación
BYV29FX-600,127 Image BYV29FX-600,127 DIODE GEN PURP 600V 9A TO220F Investigación
ACTT12X-800CTNQ ACTT12X-800CTN/TO-220F/STANDAR Investigación
BT136-600/DG,127 Image BT136-600/DG,127 TRIAC 600V 4A TO220AB Investigación
BT137-600-0Q Image BT137-600-0Q TRIAC 600V 8A SIL3P Investigación
ACT108-800EML Image ACT108-800EML TRIAC SENS GATE 800V 0.8A TO-92 Investigación
registros 873