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WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, es la empresa conjunta global entre NXP Semiconductors N.V. y Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors se inauguró oficialmente el 19 de enero de 2016 con el centro de negocios y operaciones ubicado en Shanghai, China. WeEn Semiconductors está registrada en la ciudad de Nanchang, que es la capital de la provincia de Jiangxi, China. Es propietaria total de subsidiarias y sucursales en la ciudad de Jilin para la producción bipolar, en Shanghai y el Reino Unido para I + D y soporte de producción, en Hong Kong para actividades de ventas y en muchos otros países para ventas y servicios al cliente, respectivamente.
Como actor clave en la industria de semiconductores, WeEn combina la avanzada tecnología de energía bipolar y el fuerte recurso de JAC Capital en la industria manufacturera y los canales de distribución chinos, para centrarse en el desarrollo de una cartera completa de productos de energía bipolar líderes en la industria, incluidos los rectificadores controlados por silicio. diodos de potencia, transistores de alto voltaje, carburo de silicio que se utilizan ampliamente en los mercados de automóviles, telecomunicaciones, computadoras y electrónica de consumo, electrodomésticos inteligentes, iluminación y administración de energía. El objetivo es ayudar a los clientes a lograr una mayor eficiencia en los costos y la producción y contribuir al desarrollo de China y la fabricación inteligente global.
La cartera de productos de la División Bi-Polar de NXP (diodos, tiristores y transistores) se ha transferido a WeEn Semiconductors (19 de enero de 2017).
Imagen Número de pieza Descripción Ver
BTA225-800B,127 Image BTA225-800B,127 TRIAC 800V 25A TO220AB Investigación
BTA204-800C,127 Image BTA204-800C,127 TRIAC 800V 4A TO220AB Investigación
BTA312B-800C,118 Image BTA312B-800C,118 TRIAC 800V 12A D2PAK Investigación
BTA425X-800BT/L02Q BTA425X-800BT/L02/TO-220F/STAN Investigación
BT136S-800E,118 Image BT136S-800E,118 TRIAC SENS GATE 800V 4A DPAK Investigación
BYQ42E-200Q DIODE ARRAY GP 200V 15A TO220AB Investigación
BTA41-800BQ Image BTA41-800BQ BTA41-800BQ/II TO3P/STANDARD MAR Investigación
ACTT10-800CTNQ ACTT10-800CTN/SIL3P/STANDARD M Investigación
BYV25G-600,127 Image BYV25G-600,127 DIODE GEN PURP 600V 5A I2PAK Investigación
BTA208-600E,127 Image BTA208-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 8A TO220AB Investigación
BTA312X-800B,127 Image BTA312X-800B,127 TRIAC 800V 12A TO220-3 Investigación
BTA316X-800C,127 Image BTA316X-800C,127 TRIAC 800V 16A TO220-3 Investigación
BT138-800/DG,127 Image BT138-800/DG,127 TRIAC 800V 12A TO220AB Investigación
BYC5B-600,118 Image BYC5B-600,118 DIODE GEN PURP 500V 5A D2PAK Investigación
BT168E,112 Image BT168E,112 THYRISTOR .8A 500V TO-92 Investigación
BT139X-600,127 Image BT139X-600,127 TRIAC 600V 16A TO220-3 Investigación
BYT28-300,127 Image BYT28-300,127 DIODE ARRAY GP 300V 10A TO220AB Investigación
BT169G-MQP BT169G-M/TO-92/STANDARD MARKIN Investigación
BUJ302A,127 Image BUJ302A,127 TRANS NPN 400V 4A TO220AB Investigación
BT151X-650R,127 Image BT151X-650R,127 THYRISTOR 650V 12A SOT186A Investigación
WNS40H100CBJ WNS40H100CBJ/TO263/REEL 13\" Q1/ Investigación
BT136S-600,118 Image BT136S-600,118 TRIAC 600V 4A DPAK Investigación
ACT108-600D/DG,126 Image ACT108-600D/DG,126 TRIAC SENS GATE 600V 0.8A TO92 Investigación
BT158W-1200TQ BT158W-1200TQ TO-247 Investigación
BT134-800,127 Image BT134-800,127 TRIAC 800V 4A SOT82-3 Investigación
BYV29X-600,127 Image BYV29X-600,127 DIODE GEN PURP 600V 9A TO220F Investigación
BYV25FD-600,118 Image BYV25FD-600,118 DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK Investigación
OT407,116 Image OT407,116 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Investigación
BTA316B-600B,118 Image BTA316B-600B,118 TRIAC 600V 16A D2PAK Investigación
BTA202X-800E,127 Image BTA202X-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 2A TO220-3 Investigación
BT131-800D,412 Image BT131-800D,412 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Investigación
BTA316B-600BT,118 Image BTA316B-600BT,118 TRIAC 600V 16A D2PAK Investigación
BT137-600G0Q BT137-600G0/SIL3P/STANDARD MAR Investigación
BTA410Y-800CT,127 TRIAC 800V 10A TO220AB Investigación
BYC10-600,127 Image BYC10-600,127 DIODE GEN PURP 500V 10A TO220AC Investigación
BTA316-600D,127 Image BTA316-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220AB Investigación
BT131-600D/L01EP Image BT131-600D/L01EP TRIAC SENS GATE 600V 1A Investigación
BYC5X-600,127 Image BYC5X-600,127 DIODE GEN PURP 500V 5A TO220F Investigación
BTA204-600B,127 Image BTA204-600B,127 TRIAC 600V 4A TO220AB Investigación
BTA204X-800E/L03Q Image BTA204X-800E/L03Q TRIAC SENS GATE 800V 4A Investigación
BT138-600E/DGQ Image BT138-600E/DGQ TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220F Investigación
MAC97A8/DG,116 Image MAC97A8/DG,116 TRIAC SENS GATE 400V 0.6A TO92 Investigación
Z0109NA0,412 Image Z0109NA0,412 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Investigación
BYV34G-600,127 Image BYV34G-600,127 DIODE ARRAY GP 600V 20A I2PAK Investigación
BT138-800E,127 Image BT138-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 12A TO220AB Investigación
BTA316X-600E,127 Image BTA316X-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220-3 Investigación
BYT28-500,127 Image BYT28-500,127 DIODE ARRAY GP 500V 10A TO220AB Investigación
BTA316-800C/L05Q BTA316-800C L05Q SIL3P STANDARD Investigación
BTA212-600F,127 Image BTA212-600F,127 TRIAC 600V 12A TO220AB Investigación
MAC223A8X,127 Image MAC223A8X,127 TRIAC 600V 20A TO220-3 Investigación
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