Tarjeta de línea
WeEn Semiconductors Co., Ltd
- WeEn Semiconductors Co., Ltd, es la empresa conjunta global entre NXP Semiconductors N.V. y Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors se inauguró oficialmente el 19 de enero de 2016 con el centro de negocios y operaciones ubicado en Shanghai, China. WeEn Semiconductors está registrada en la ciudad de Nanchang, que es la capital de la provincia de Jiangxi, China. Es propietaria total de subsidiarias y sucursales en la ciudad de Jilin para la producción bipolar, en Shanghai y el Reino Unido para I + D y soporte de producción, en Hong Kong para actividades de ventas y en muchos otros países para ventas y servicios al cliente, respectivamente.
Como actor clave en la industria de semiconductores, WeEn combina la avanzada tecnología de energía bipolar y el fuerte recurso de JAC Capital en la industria manufacturera y los canales de distribución chinos, para centrarse en el desarrollo de una cartera completa de productos de energía bipolar líderes en la industria, incluidos los rectificadores controlados por silicio. diodos de potencia, transistores de alto voltaje, carburo de silicio que se utilizan ampliamente en los mercados de automóviles, telecomunicaciones, computadoras y electrónica de consumo, electrodomésticos inteligentes, iluminación y administración de energía. El objetivo es ayudar a los clientes a lograr una mayor eficiencia en los costos y la producción y contribuir al desarrollo de China y la fabricación inteligente global.
La cartera de productos de la División Bi-Polar de NXP (diodos, tiristores y transistores) se ha transferido a WeEn Semiconductors (19 de enero de 2017).
Imagen |
Número de pieza |
Descripción |
Ver |
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BTA225-800B,127 |
TRIAC 800V 25A TO220AB |
Investigación |
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BTA204-800C,127 |
TRIAC 800V 4A TO220AB |
Investigación |
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BTA312B-800C,118 |
TRIAC 800V 12A D2PAK |
Investigación |
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BTA425X-800BT/L02Q |
BTA425X-800BT/L02/TO-220F/STAN |
Investigación |
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BT136S-800E,118 |
TRIAC SENS GATE 800V 4A DPAK |
Investigación |
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BYQ42E-200Q |
DIODE ARRAY GP 200V 15A TO220AB |
Investigación |
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BTA41-800BQ |
BTA41-800BQ/II TO3P/STANDARD MAR |
Investigación |
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ACTT10-800CTNQ |
ACTT10-800CTN/SIL3P/STANDARD M |
Investigación |
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BYV25G-600,127 |
DIODE GEN PURP 600V 5A I2PAK |
Investigación |
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BTA208-600E,127 |
TRIAC SENS GATE 600V 8A TO220AB |
Investigación |
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BTA312X-800B,127 |
TRIAC 800V 12A TO220-3 |
Investigación |
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BTA316X-800C,127 |
TRIAC 800V 16A TO220-3 |
Investigación |
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BT138-800/DG,127 |
TRIAC 800V 12A TO220AB |
Investigación |
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BYC5B-600,118 |
DIODE GEN PURP 500V 5A D2PAK |
Investigación |
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BT168E,112 |
THYRISTOR .8A 500V TO-92 |
Investigación |
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BT139X-600,127 |
TRIAC 600V 16A TO220-3 |
Investigación |
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BYT28-300,127 |
DIODE ARRAY GP 300V 10A TO220AB |
Investigación |
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BT169G-MQP |
BT169G-M/TO-92/STANDARD MARKIN |
Investigación |
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BUJ302A,127 |
TRANS NPN 400V 4A TO220AB |
Investigación |
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BT151X-650R,127 |
THYRISTOR 650V 12A SOT186A |
Investigación |
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WNS40H100CBJ |
WNS40H100CBJ/TO263/REEL 13\" Q1/ |
Investigación |
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BT136S-600,118 |
TRIAC 600V 4A DPAK |
Investigación |
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ACT108-600D/DG,126 |
TRIAC SENS GATE 600V 0.8A TO92 |
Investigación |
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BT158W-1200TQ |
BT158W-1200TQ TO-247 |
Investigación |
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BT134-800,127 |
TRIAC 800V 4A SOT82-3 |
Investigación |
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BYV29X-600,127 |
DIODE GEN PURP 600V 9A TO220F |
Investigación |
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BYV25FD-600,118 |
DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK |
Investigación |
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OT407,116 |
TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 |
Investigación |
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BTA316B-600B,118 |
TRIAC 600V 16A D2PAK |
Investigación |
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BTA202X-800E,127 |
TRIAC SENS GATE 800V 2A TO220-3 |
Investigación |
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BT131-800D,412 |
TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 |
Investigación |
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BTA316B-600BT,118 |
TRIAC 600V 16A D2PAK |
Investigación |
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BT137-600G0Q |
BT137-600G0/SIL3P/STANDARD MAR |
Investigación |
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BTA410Y-800CT,127 |
TRIAC 800V 10A TO220AB |
Investigación |
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BYC10-600,127 |
DIODE GEN PURP 500V 10A TO220AC |
Investigación |
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BTA316-600D,127 |
TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220AB |
Investigación |
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BT131-600D/L01EP |
TRIAC SENS GATE 600V 1A |
Investigación |
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BYC5X-600,127 |
DIODE GEN PURP 500V 5A TO220F |
Investigación |
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BTA204-600B,127 |
TRIAC 600V 4A TO220AB |
Investigación |
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BTA204X-800E/L03Q |
TRIAC SENS GATE 800V 4A |
Investigación |
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BT138-600E/DGQ |
TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220F |
Investigación |
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MAC97A8/DG,116 |
TRIAC SENS GATE 400V 0.6A TO92 |
Investigación |
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Z0109NA0,412 |
TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 |
Investigación |
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BYV34G-600,127 |
DIODE ARRAY GP 600V 20A I2PAK |
Investigación |
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BT138-800E,127 |
TRIAC SENS GATE 800V 12A TO220AB |
Investigación |
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BTA316X-600E,127 |
TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220-3 |
Investigación |
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BYT28-500,127 |
DIODE ARRAY GP 500V 10A TO220AB |
Investigación |
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BTA316-800C/L05Q |
BTA316-800C L05Q SIL3P STANDARD |
Investigación |
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BTA212-600F,127 |
TRIAC 600V 12A TO220AB |
Investigación |
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MAC223A8X,127 |
TRIAC 600V 20A TO220-3 |
Investigación |