Tarjeta de línea

WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, es la empresa conjunta global entre NXP Semiconductors N.V. y Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors se inauguró oficialmente el 19 de enero de 2016 con el centro de negocios y operaciones ubicado en Shanghai, China. WeEn Semiconductors está registrada en la ciudad de Nanchang, que es la capital de la provincia de Jiangxi, China. Es propietaria total de subsidiarias y sucursales en la ciudad de Jilin para la producción bipolar, en Shanghai y el Reino Unido para I + D y soporte de producción, en Hong Kong para actividades de ventas y en muchos otros países para ventas y servicios al cliente, respectivamente.
Como actor clave en la industria de semiconductores, WeEn combina la avanzada tecnología de energía bipolar y el fuerte recurso de JAC Capital en la industria manufacturera y los canales de distribución chinos, para centrarse en el desarrollo de una cartera completa de productos de energía bipolar líderes en la industria, incluidos los rectificadores controlados por silicio. diodos de potencia, transistores de alto voltaje, carburo de silicio que se utilizan ampliamente en los mercados de automóviles, telecomunicaciones, computadoras y electrónica de consumo, electrodomésticos inteligentes, iluminación y administración de energía. El objetivo es ayudar a los clientes a lograr una mayor eficiencia en los costos y la producción y contribuir al desarrollo de China y la fabricación inteligente global.
La cartera de productos de la División Bi-Polar de NXP (diodos, tiristores y transistores) se ha transferido a WeEn Semiconductors (19 de enero de 2017).
Imagen Número de pieza Descripción Ver
BT236X-600G,127 Image BT236X-600G,127 TRIAC 600V 6A TO220-3 Investigación
BTA420X-800BT,127 Image BTA420X-800BT,127 TRIAC 800V 20A TO220F Investigación
BUJ105AD,118 Image BUJ105AD,118 TRANS NPN 400V 8A DPAK Investigación
BT151-500R,127 Image BT151-500R,127 THYRISTOR 12A 500V TO220AB Investigación
BTA204X-600B,127 Image BTA204X-600B,127 TRIAC 600V 4A TO220-3 Investigación
BTA216X-800B,127 Image BTA216X-800B,127 TRIAC 800V 16A TO220-3 Investigación
ACTT4S-800C,118 Image ACTT4S-800C,118 TRIAC 800V 4A DPAK Investigación
ACT108-600D,126 Image ACT108-600D,126 TRIAC SENS GATE 600V 0.8A TO92-3 Investigación
BT236X-800G/L02Q BT236X-800G/L02/TO-220F/STANDA Investigación
BTA312-600B/DG,127 Image BTA312-600B/DG,127 TRIAC 600V 12A TO220AB Investigación
PHE13009/DG,127 Image PHE13009/DG,127 TRANS NPN 400V 12A TO220AB Investigación
BT136X-600F,127 Image BT136X-600F,127 TRIAC 600V 4A TO220-3 Investigación
Z0109NA,412 Image Z0109NA,412 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Investigación
BT137B-800,118 Image BT137B-800,118 TRIAC 800V 8A D2PAK Investigación
BTA330-800BTQ Image BTA330-800BTQ TRIAC 800V 30A TO220AB Investigación
ACTT6G-800E,127 Image ACTT6G-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 6A I2PAK Investigación
ACT108-600D,412 Image ACT108-600D,412 TRIAC SENS GATE 600V 0.8A TO92-3 Investigación
BT131-600,116 Image BT131-600,116 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Investigación
ACTT12B-800CTNJ ACTT12B-800CTN/D2PAK/REEL 13 Investigación
BTA410X-800BT,127 Image BTA410X-800BT,127 TRIAC 800V 10A TO220F Investigación
EC103D1,412 Image EC103D1,412 THYRISTOR GATE 400V 0.8A TO92 Investigación
BT138-800E/DG,127 Image BT138-800E/DG,127 TRIAC SENS GATE 800V 12A TO220AB Investigación
BTA410-800ET,127 Image BTA410-800ET,127 TRIAC SENS GATE 800V 10A TO220AB Investigación
BYQ28ED-200PLJ Image BYQ28ED-200PLJ BYQ28ED-200PLJ/TO252/Q1/T1 *STAN Investigación
BT137S-600E,118 Image BT137S-600E,118 TRIAC SENS GATE 600V 8A DPAK Investigación
BTA201-800ER,112 Image BTA201-800ER,112 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Investigación
BYV32G-200,127 Image BYV32G-200,127 DIODE ARRAY GP 200V 20A I2PAK Investigación
PHE13005X,127 Image PHE13005X,127 TRANS NPN 400V 4A TO-220F Investigación
NXPS20S110C,127 DIODE SCHOTTKY 110V SIL3P Investigación
BTA202X-600D,127 Image BTA202X-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 2A TO220-3 Investigación
BTA208X-1000C0,127 Image BTA208X-1000C0,127 TRIAC 1KV 8A TO220-3 Investigación
BTA330Y-800BTQ TRIAC STANDARD 800V 30A TO220-3 Investigación
BYV10-600PQ Image BYV10-600PQ DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC Investigación
BTA312X-800E,127 Image BTA312X-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 12A TO220-3 Investigación
BT137X-600D,127 Image BT137X-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 8A TO220-3 Investigación
ACT108-600E,126 Image ACT108-600E,126 TRIAC SENS GATE 600V 0.8A TO92-3 Investigación
BT137S-800E,118 Image BT137S-800E,118 TRIAC SENS GATE 800V 8A DPAK Investigación
BUJ303AX,127 Image BUJ303AX,127 TRANS NPN 500V 5A TO-220F Investigación
BTA412Y-600ETQ BTA412Y-600ET SIL3P STANDARD Investigación
BTA312-600E,127 Image BTA312-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220AB Investigación
BTA212-600B/DG,127 Image BTA212-600B/DG,127 TRIAC 600V 12A TO220AB Investigación
ACTT10X-800CTQ Image ACTT10X-800CTQ TRIAC 800V 10A TO-220FP Investigación
BTA2008-600E,412 Image BTA2008-600E,412 TRIAC SENS GATE 600V 0.8A TO92-3 Investigación
BTA2008-1000D,126 BTA2008-1000D/TO-92/STANDARD M Investigación
BT151X-650C,127 Image BT151X-650C,127 THYRISTOR 650V 12A TO-220F Investigación
BT131-600/DG,116 Image BT131-600/DG,116 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Investigación
BTA204W-600E,135 Image BTA204W-600E,135 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 Investigación
BT150-500R,127 Image BT150-500R,127 THYRISTOR 500V 4A TO220AB Investigación
BTA2008-600E/L02EP BTA2008-600E/L02/TO-92/STANDAR Investigación
BTA204-600D,127 Image BTA204-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A TO220AB Investigación
registros 873