TC58NYG1S3HBAI4
- Artikelnummer:
- TC58NYG1S3HBAI4
- Hersteller:
- Toshiba Memory America, Inc.
- Beschreibung:
- 2G NAND SLC 24NM BGA
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 78902 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- TC58NYG1S3HBAI4.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-TC58NYG1S3HBAI4 |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | 25ns |
| Spannungsversorgung: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Technologie: | FLASH - NAND (SLC) |
| Supplier Device-Gehäuse: | 63-TFBGA (9x11) |
| Serie: | - |
| Verpackung / Gehäuse: | 63-VFBGA |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Speichertyp: | Non-Volatile |
| Speichergröße: | 2Gb (256M x 8) |
| Speicherschnittstelle: | - |
| Speicherformat: | FLASH |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung: | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gb (256M x 8) 63-TFBGA (9x11) |
| Email: | [email protected] |
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