TC58NYG1S3HBAI4
- Modelo do Produto:
- TC58NYG1S3HBAI4
- Fabricante:
- Toshiba Memory America, Inc.
- Descrição:
- 2G NAND SLC 24NM BGA
- Status de RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 78902 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempo de produção:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- TC58NYG1S3HBAI4.pdf
Introdução
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Especificações
| Número de peça interno | RO-TC58NYG1S3HBAI4 |
|---|---|
| Condição | Original New |
| País de origem | Contact us |
| Marcação superior | email us |
| Substituição | See datasheet |
| Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página: | 25ns |
| Tensão - Fornecimento: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Tecnologia: | FLASH - NAND (SLC) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 63-TFBGA (9x11) |
| Série: | - |
| Caixa / Gabinete: | 63-VFBGA |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Tipo de memória: | Non-Volatile |
| Tamanho da memória: | 2Gb (256M x 8) |
| Interface de memória: | - |
| Formato de memória: | FLASH |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrição detalhada: | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gb (256M x 8) 63-TFBGA (9x11) |
| Email: | [email protected] |
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