TC58NYG1S3HBAI4
- Modèle de produit:
- TC58NYG1S3HBAI4
- Fabricant:
- Toshiba Memory America, Inc.
- La description:
- 2G NAND SLC 24NM BGA
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 78902 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- TC58NYG1S3HBAI4.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-TC58NYG1S3HBAI4 |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page: | 25ns |
| Tension - Alimentation: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| La technologie: | FLASH - NAND (SLC) |
| Package composant fournisseur: | 63-TFBGA (9x11) |
| Séries: | - |
| Package / Boîte: | 63-VFBGA |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Type de mémoire: | Non-Volatile |
| Taille mémoire: | 2Gb (256M x 8) |
| Interface mémoire: | - |
| Format de mémoire: | FLASH |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gb (256M x 8) 63-TFBGA (9x11) |
| Email: | [email protected] |
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