Interne Teilenummer | RO-TC58NVG2S0HBAI6 |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | 25ns |
Spannungsversorgung: | 2.7 V ~ 3.6 V |
Technologie: | FLASH - NAND (SLC) |
Supplier Device-Gehäuse: | 67-VFBGA (6.5x8) |
Serie: | - |
Verpackung: | Tray |
Verpackung / Gehäuse: | 67-VFBGA |
Andere Namen: | TC58NVG2S0HBAI6JDH TC58NVG2S0HBAI6YCL |
Betriebstemperatur: | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
Speichertyp: | Non-Volatile |
Speichergröße: | 4Gb (512M x 8) |
Speicherschnittstelle: | Parallel |
Speicherformat: | FLASH |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung: | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8) |
Zugriffszeit: | 25ns |
Email: | [email protected] |