Deutsch
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Über uns | Kontakt | Angebot anfordern |
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays > EPC2101ENG
EPC2101ENG
EPC2101ENG
Artikelnummer:
EPC2101ENG
Hersteller:
EPC
Beschreibung:
TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
RoHS-Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Menge auf Lager:
84614 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Produktionszeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
EPC2101ENG.pdf
Anfrage

Einführung

We can supply EPC2101ENG, use the request quote form to request EPC2101ENG pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2101ENG.The price and lead time for EPC2101ENG depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2101ENG.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Spezifikation

Interne Teilenummer RO-EPC2101ENG
Bedingung Original New
Herkunftsland Contact us
Top-Markierung email us
Ersatz See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 2mA
Supplier Device-Gehäuse:Die
Serie:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:11.5 mOhm @ 20A, 5V
Leistung - max:-
Verpackung:Tray
Verpackung / Gehäuse:Die
Andere Namen:917-EPC2101ENG
EPC2101ENGR_H5
EPC2101ENGRH5
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:300pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:2.7nC @ 5V
Typ FET:2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Merkmal:GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss):60V
detaillierte Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 9.5A, 38A Surface Mount Die
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:9.5A, 38A
Email:[email protected]

Schnell Angebot anfordern

Artikelnummer
Anzahl
Unternehmen
Email
Telefon
Bemerkung/Erläuterung

In Verbindung stehende Teile für EPC2101ENG

Image Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
EPC2046ENGRT Image EPC2046ENGRT EPC TRANS GAN 200V BUMPED DIE Anfrage
EPC2103ENGRT Image EPC2103ENGRT EPC TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V Anfrage
EPC2049ENGRT EPC TRANS GAN 40V BUMPED DIE Anfrage
EPC2103ENG Image EPC2103ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE Anfrage
EPC2047ENGRT Image EPC2047ENGRT EPC TRANS GAN 200V BUMPED DIE Anfrage
EPC2101 Image EPC2101 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Anfrage
EPC2102ENG Image EPC2102ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE Anfrage
EPC2102ENGRT Image EPC2102ENGRT EPC MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE Anfrage
EPC2100ENG Image EPC2100ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE Anfrage
EPC2104 Image EPC2104 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG Anfrage
EPC2051ENGRT Image EPC2051ENGRT EPC TRANS GAN 100V DIE CU PILLAR Anfrage
EPC2100 Image EPC2100 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Anfrage
EPC2100ENGRT Image EPC2100ENGRT EPC MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE Anfrage
EPC2102 Image EPC2102 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG Anfrage
EPC2045ENGRT Image EPC2045ENGRT EPC TRANS GAN 100V BUMPED DIE Anfrage
EPC2104ENGRT Image EPC2104ENGRT EPC MOSFET 2NCH 100V 23A DIE Anfrage
EPC2104ENG Image EPC2104ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE Anfrage
EPC2101ENGRT Image EPC2101ENGRT EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Anfrage
EPC2103 Image EPC2103 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG Anfrage
EPC2050ENGRT Image EPC2050ENGRT EPC TRANS GAN 350V BUMPED DIE Anfrage

läst Nachrichten