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EPC2045ENGRT
EPC2045ENGRT
Artikelnummer:
EPC2045ENGRT
Hersteller:
EPC
Beschreibung:
TRANS GAN 100V BUMPED DIE
RoHS-Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Menge auf Lager:
38130 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Produktionszeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
EPC2045ENGRT.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Interne Teilenummer RO-EPC2045ENGRT
Bedingung Original New
Herkunftsland Contact us
Top-Markierung email us
Ersatz See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 5mA
Vgs (Max):+6V, -4V
Technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
Supplier Device-Gehäuse:Die
Serie:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:7 mOhm @ 16A, 5V
Verlustleistung (max):-
Verpackung:Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse:Die
Andere Namen:917-EPC2045ENGRCT
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:14 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:685pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:6.5nC @ 5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):5V
Drain-Source-Spannung (Vdss):100V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 100V 16A (Ta) Surface Mount Die
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:16A (Ta)
Email:[email protected]

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