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EPC2100ENGRT
EPC2100ENGRT
Artikelnummer:
EPC2100ENGRT
Hersteller:
EPC
Beschreibung:
MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
RoHS-Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Menge auf Lager:
52756 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Produktionszeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
EPC2100ENGRT.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Interne Teilenummer RO-EPC2100ENGRT
Bedingung Original New
Herkunftsland Contact us
Top-Markierung email us
Ersatz See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device-Gehäuse:Die
Serie:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Leistung - max:-
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:Die
Andere Namen:917-EPC2100ENGRTR
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Typ FET:2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Merkmal:GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
detaillierte Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A (Ta), 40A (Ta) Surface Mount Die
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:10A (Ta), 40A (Ta)
Email:[email protected]

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