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EPC2100ENGRT
EPC2100ENGRT
제품 모델:
EPC2100ENGRT
제조사:
EPC
기술:
MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
RoHS 현황:
무연 / RoHS 준수
수량 재고 있음:
52756 Pieces
배달 시간:
1-2 days (We have stocks to ship now)
생산 시간:
4-8 weeks
데이터 시트:
EPC2100ENGRT.pdf
문의

소개

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내부 부품 번호 RO-EPC2100ENGRT
조건 Original New
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아이디 @ VGS (일) (최대):2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
제조업체 장치 패키지:Die
연속:eGaN®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
전력 - 최대:-
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:Die
다른 이름들:917-EPC2100ENGRTR
작동 온도:-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:16 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
FET 유형:2 N-Channel (Half Bridge)
FET 특징:GaNFET (Gallium Nitride)
소스 전압에 드레인 (Vdss):30V
상세 설명:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A (Ta), 40A (Ta) Surface Mount Die
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):10A (Ta), 40A (Ta)
Email:[email protected]

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