TPN1110ENH,L1Q
- Modèle de produit:
- TPN1110ENH,L1Q
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 52545 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- TPN1110ENH,L1Q.pdf
introduction
We can supply TPN1110ENH,L1Q, use the request quote form to request TPN1110ENH,L1Q pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number TPN1110ENH,L1Q.The price and lead time for TPN1110ENH,L1Q depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# TPN1110ENH,L1Q.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-TPN1110ENH,L1Q |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 200µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Séries: | U-MOSVIII-H |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 114 mOhm @ 3.6A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 700mW (Ta), 39W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-PowerVDFN |
| Autres noms: | TPN1110ENH,L1Q(M TPN1110ENHL1QTR |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 600pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 7nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 200V |
| Description détaillée: | N-Channel 200V 7.2A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 7.2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes TPN1110ENH,L1Q
Latest Nouvelles
- Toshiba a développé le premier module MOSFET à double carbure de l'industrie de l'industrie pour aider l'efficacité et la miniaturisation des équipements industriels
- Toshiba a publié le premier optocoupleur de voiture de sortie de transistor de 200 V
- TOSHIBA lance un taux de réjection d'ondulation élevé et un régulateur LDO à faible bruit avec une plus grande stabilité de la ligne électrique
- TOSHIBA a introduit des optocoupleurs légers et minces pour la commande de porte IGBT et MOSFET, le fonctionnement à haute température, les positions arrière ou à hauteur restreinte: TLP5751H, TLP5752H, TLP5754H
- TOSHIBA lance des IGBT discrets qui aident à réduire la consommation d'énergie et le rayonnement des appareils électroménagers: GT30J110SRA
- Toshiba lance un circuit intégré de commande de moteur à pont en H à 2 canaux 5A pour les applications automobiles
- Toshiba lance 5 nouveaux microcontrôleurs avancés de la famille TXZ + ™ pour réduire la consommation d'énergie, prendre en charge la miniaturisation du système et le contrôle du moteur