Número de parte interno | RO-TPN1110ENH,L1Q |
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Condición | Original New |
País de origen | Contact us |
Marcado superior | email us |
Reemplazo | See datasheet |
VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 200µA |
Vgs (Max): | ±20V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
Serie: | U-MOSVIII-H |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 114 mOhm @ 3.6A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 700mW (Ta), 39W (Tc) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | 8-PowerVDFN |
Otros nombres: | TPN1110ENH,L1Q(M TPN1110ENHL1QTR |
Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 600pF @ 100V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 7nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 200V |
Descripción detallada: | N-Channel 200V 7.2A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 7.2A (Ta) |
Email: | [email protected] |