TPN1R603PL,L1Q
- Modèle de produit:
- TPN1R603PL,L1Q
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 85158 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- TPN1R603PL,L1Q.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-TPN1R603PL,L1Q |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 10V @ 10µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Séries: | U-MOSIX-H |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.2 mOhm @ 80A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 104W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-PowerVDFN |
| Autres noms: | TPN1R603PL,L1Q(M TPN1R603PLL1Q TPN1R603PLL1QTR |
| Température de fonctionnement: | 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 3900pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 41nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 30V |
| Description détaillée: | N-Channel 30V 80A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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