TPN1110ENH,L1Q
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- TPN1110ENH,L1Q
- ลักษณะ:
- MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
- สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณในสต็อก:
- 52545 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- เวลาในการผลิต:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- TPN1110ENH,L1Q.pdf
บทนำ
We can supply TPN1110ENH,L1Q, use the request quote form to request TPN1110ENH,L1Q pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number TPN1110ENH,L1Q.The price and lead time for TPN1110ENH,L1Q depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# TPN1110ENH,L1Q.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ขนาด
| หมายเลขชิ้นส่วนภายใน | RO-TPN1110ENH,L1Q |
|---|---|
| เงื่อนไข | Original New |
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| การสลักด้านบน | email us |
| การแทนที่ | See datasheet |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 4V @ 200µA |
| Vgs (สูงสุด): | ±20V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| ชุด: | U-MOSVIII-H |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 114 mOhm @ 3.6A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 700mW (Ta), 39W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-PowerVDFN |
| ชื่ออื่น: | TPN1110ENH,L1Q(M TPN1110ENHL1QTR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 600pF @ 100V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 7nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 200V |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | N-Channel 200V 7.2A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 7.2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ TPN1110ENH,L1Q
ข่าว Latest
- Toshiba ได้พัฒนาโมดูล MOSFET แบบคู่ 2,200V สองตัวแรกของอุตสาหกรรมเพื่อช่วยให้อุปกรณ์อุตสาหกรรมมีประสิทธิภาพและย่อขนาดเล็กลง
- โตชิบาเปิดตัว 200V ทรานซิสเตอร์รถเอาท์พุท OPTOCOUPLER แรก
- TOSHIBA เปิดตัวอัตราส่วนการปฏิเสธการกระเพื่อมสูงและตัวควบคุม LDO ที่มีเสียงรบกวนต่ำพร้อมความเสถียรของสายไฟที่สูงขึ้น
- TOSHIBA เปิดตัวออปโตคัปเปลอร์แบบบางและเบาสำหรับเกตไดรฟ์ IGBT และ MOSFET การทำงานที่อุณหภูมิสูงด้านหลังหรือตำแหน่งที่จำกัดความสูง: TLP5751H, TLP5752H, TLP5754H
- TOSHIBA เปิดตัว IGBT แบบแยกที่ช่วยลดการใช้พลังงานและการแผ่รังสีของเครื่องใช้ในครัวเรือน: GT30J110SRA
- Toshiba เปิดตัว 5A 2-channel H-bridge motor driver IC สำหรับการใช้งานในยานยนต์
- โตชิบาเปิดตัวไมโครคอนโทรลเลอร์ขั้นสูงตระกูล TXZ + ™ใหม่ 5 ชุดเพื่อให้ใช้พลังงานต่ำระบบรองรับการย่อขนาดและการควบคุมมอเตอร์