內部型號 | RO-PMWD26UN,518 |
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狀況 | Original New |
原產地 | Contact us |
頂部標記 | email us |
替代 | See datasheet |
VGS(TH)(最大)@標識: | 700mV @ 1mA |
供應商設備封裝: | 8-TSSOP |
系列: | TrenchMOS™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 30 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
功率 - 最大: | 3.1W |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
其他名稱: | 568-2363-2 934057597518 PMWD26UN /T3 |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 1366pF @ 16V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 23.6nC @ 4.5V |
FET型: | 2 N-Channel (Dual) |
FET特點: | Logic Level Gate |
漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
詳細說明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 7.8A 3.1W Surface Mount 8-TSSOP |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 7.8A |
Email: | [email protected] |