RN1132MFV,L3F
รุ่นผลิตภัณฑ์:
RN1132MFV,L3F
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ:
X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณในสต็อก:
56638 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days (We have stocks to ship now)
เวลาในการผลิต:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
RN1132MFV,L3F.pdf

บทนำ

We can supply RN1132MFV,L3F, use the request quote form to request RN1132MFV,L3F pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number RN1132MFV,L3F.The price and lead time for RN1132MFV,L3F depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# RN1132MFV,L3F.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ขนาด

หมายเลขชิ้นส่วนภายใน RO-RN1132MFV,L3F
เงื่อนไข Original New
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
การสลักด้านบน email us
การแทนที่ See datasheet
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):50V
VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 5mA
ประเภททรานซิสเตอร์:NPN - Pre-Biased
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:VESM
ชุด:-
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1):200 kOhms
เพาเวอร์ - แม็กซ์:150mW
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SOT-723
ชื่ออื่น:RN1132MFVL3F
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
คำอธิบายโดยละเอียด:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE:120 @ 1mA, 5V
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):100nA (ICBO)
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):100mA
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest