RN1130MFV,L3F
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- RN1130MFV,L3F
- ลักษณะ:
- TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
- สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณในสต็อก:
- 55931 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- เวลาในการผลิต:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- RN1130MFV,L3F.pdf
บทนำ
We can supply RN1130MFV,L3F, use the request quote form to request RN1130MFV,L3F pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number RN1130MFV,L3F.The price and lead time for RN1130MFV,L3F depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# RN1130MFV,L3F.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ขนาด
| หมายเลขชิ้นส่วนภายใน | RO-RN1130MFV,L3F |
|---|---|
| เงื่อนไข | Original New |
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| การสลักด้านบน | email us |
| การแทนที่ | See datasheet |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 50V |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 5mA |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | NPN - Pre-Biased |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | VESM |
| ชุด: | - |
| ตัวต้านทาน - ฐาน emitter (R2): | 100 kOhms |
| ตัวต้านทาน - ฐาน (R1): | 100 kOhms |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 150mW |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | SOT-723 |
| ชื่ออื่น: | RN1130MFV(TL3,T) RN1130MFV(TL3T)TR RN1130MFV(TL3T)TR-ND RN1130MFV,L3F(B RN1130MFV,L3F(T RN1130MFVL3F RN1130MFVL3F-ND RN1130MFVL3FTR RN1130MFVTL3T |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 16 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความถี่ - การเปลี่ยน: | 250MHz |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VESM |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE: | 100 @ 10mA, 5V |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด): | 500nA |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ RN1130MFV,L3F
ข่าว Latest
- Toshiba ได้พัฒนาโมดูล MOSFET แบบคู่ 2,200V สองตัวแรกของอุตสาหกรรมเพื่อช่วยให้อุปกรณ์อุตสาหกรรมมีประสิทธิภาพและย่อขนาดเล็กลง
- โตชิบาเปิดตัว 200V ทรานซิสเตอร์รถเอาท์พุท OPTOCOUPLER แรก
- TOSHIBA เปิดตัวอัตราส่วนการปฏิเสธการกระเพื่อมสูงและตัวควบคุม LDO ที่มีเสียงรบกวนต่ำพร้อมความเสถียรของสายไฟที่สูงขึ้น
- TOSHIBA เปิดตัวออปโตคัปเปลอร์แบบบางและเบาสำหรับเกตไดรฟ์ IGBT และ MOSFET การทำงานที่อุณหภูมิสูงด้านหลังหรือตำแหน่งที่จำกัดความสูง: TLP5751H, TLP5752H, TLP5754H
- TOSHIBA เปิดตัว IGBT แบบแยกที่ช่วยลดการใช้พลังงานและการแผ่รังสีของเครื่องใช้ในครัวเรือน: GT30J110SRA
- Toshiba เปิดตัว 5A 2-channel H-bridge motor driver IC สำหรับการใช้งานในยานยนต์
- โตชิบาเปิดตัวไมโครคอนโทรลเลอร์ขั้นสูงตระกูล TXZ + ™ใหม่ 5 ชุดเพื่อให้ใช้พลังงานต่ำระบบรองรับการย่อขนาดและการควบคุมมอเตอร์