ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBT - เดี่ยว > APT70GR120B2
APT70GR120B2
APT70GR120B2
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT70GR120B2
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
IGBT 1200V 160A 961W TO247
สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณในสต็อก:
82057 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days (We have stocks to ship now)
เวลาในการผลิต:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
APT70GR120B2.pdf
การสอบสวน

บทนำ

We can supply APT70GR120B2, use the request quote form to request APT70GR120B2 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT70GR120B2.The price and lead time for APT70GR120B2 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT70GR120B2.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ขนาด

หมายเลขชิ้นส่วนภายใน RO-APT70GR120B2
เงื่อนไข Original New
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
การสลักด้านบน email us
การแทนที่ See datasheet
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):1200V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:3.2V @ 15V, 70A
ทดสอบสภาพ:600V, 70A, 4.3 Ohm, 15V
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C:33ns/278ns
การสลับพลังงาน:3.82mJ (on), 2.58mJ (off)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-247
ชุด:-
เพาเวอร์ - แม็กซ์:961W
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-247-3
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:16 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
ประเภทขาเข้า:Standard
ประเภท IGBT:NPT
ค่าใช้จ่ายประตู:544nC
คำอธิบายโดยละเอียด:IGBT NPT 1200V 160A 961W Through Hole TO-247
ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM):280A
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):160A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT70GR120B2

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT68GA60LD40 Image APT68GA60LD40 Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-264 การสอบสวน
APT66F60L Image APT66F60L Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 การสอบสวน
APT66F60B2 Image APT66F60B2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 การสอบสวน
APT75DF170HJ Image APT75DF170HJ Microsemi MOD DIODE 1700V SOT-227 การสอบสวน
APT65GP60L2DQ2G Image APT65GP60L2DQ2G Microsemi IGBT 600V 198A 833W TO264 การสอบสวน
APT70SM70S Microsemi POWER MOSFET - SIC การสอบสวน
APT70SM70J Microsemi POWER MOSFET - SIC การสอบสวน
APT70GR65B2SCD30 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO การสอบสวน
APT66M60L Image APT66M60L Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 การสอบสวน
APT70GR120J Image APT70GR120J Microsemi IGBT 1200V 112A 543W SOT227 การสอบสวน
APT70GR65B2DU40 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO การสอบสวน
APT66M60B2 Image APT66M60B2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX การสอบสวน
APT6M100K Microsemi MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220 การสอบสวน
APT70GR65B Image APT70GR65B Microsemi IGBT 650V 134A 595W TO-247 การสอบสวน
APT70SM70B Microsemi POWER MOSFET - SIC การสอบสวน
APT70GR120L Image APT70GR120L Microsemi IGBT 1200V 160A 961W TO264 การสอบสวน
APT65GP60J Image APT65GP60J Microsemi IGBT 600V 130A 431W SOT227 การสอบสวน
APT68GA60B Image APT68GA60B Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-247 การสอบสวน
APT70GR120JD60 Image APT70GR120JD60 Microsemi IGBT 1200V 112A 543W SOT227 การสอบสวน
APT68GA60B2D40 Image APT68GA60B2D40 Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-247 การสอบสวน

ข่าว Latest