ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > APT70SM70B
APT70SM70B
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT70SM70B
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
POWER MOSFET - SIC
สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณในสต็อก:
50766 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days (We have stocks to ship now)
เวลาในการผลิต:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
APT70SM70B.pdf
การสอบสวน

บทนำ

We can supply APT70SM70B, use the request quote form to request APT70SM70B pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT70SM70B.The price and lead time for APT70SM70B depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT70SM70B.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ขนาด

หมายเลขชิ้นส่วนภายใน RO-APT70SM70B
เงื่อนไข Original New
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
การสลักด้านบน email us
การแทนที่ See datasheet
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (สูงสุด):+25V, -10V
เทคโนโลยี:SiCFET (Silicon Carbide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-247 [B]
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:70 mOhm @ 32.5A, 20V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):300W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-247-3
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:125nC @ 20V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):20V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):700V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 700V 65A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:65A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT70SM70B

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT70GR120L Image APT70GR120L Microsemi IGBT 1200V 160A 961W TO264 การสอบสวน
APT70GR65B2DU40 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO การสอบสวน
APT6M100K Microsemi MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220 การสอบสวน
APT70SM70S Microsemi POWER MOSFET - SIC การสอบสวน
APT75DL120HJ Image APT75DL120HJ Microsemi MOD DIODE 1200V SOT-227 การสอบสวน
APT75F50B2 Image APT75F50B2 Microsemi MOSFET N-CH 500V 75A TO-247 การสอบสวน
APT75DQ100BG Image APT75DQ100BG Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247 การสอบสวน
APT70GR65B Image APT70GR65B Microsemi IGBT 650V 134A 595W TO-247 การสอบสวน
APT70SM70J Microsemi POWER MOSFET - SIC การสอบสวน
APT70GR120J Image APT70GR120J Microsemi IGBT 1200V 112A 543W SOT227 การสอบสวน
APT68GA60B2D40 Image APT68GA60B2D40 Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-247 การสอบสวน
APT75F50L Image APT75F50L Microsemi MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 การสอบสวน
APT70GR120B2 Image APT70GR120B2 Microsemi IGBT 1200V 160A 961W TO247 การสอบสวน
APT75DF170HJ Image APT75DF170HJ Microsemi MOD DIODE 1700V SOT-227 การสอบสวน
APT68GA60LD40 Image APT68GA60LD40 Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-264 การสอบสวน
APT70GR120JD60 Image APT70GR120JD60 Microsemi IGBT 1200V 112A 543W SOT227 การสอบสวน
APT75DQ120BG Image APT75DQ120BG Microsemi DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247 การสอบสวน
APT75DQ60BG Image APT75DQ60BG Microsemi DIODE GEN PURP 600V 75A TO247 การสอบสวน
APT70GR65B2SCD30 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO การสอบสวน
APT75DL60HJ Image APT75DL60HJ Microsemi MOD DIODE 600V SOT-227 การสอบสวน

ข่าว Latest