ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBT - เดี่ยว > APT68GA60B
APT68GA60B
APT68GA60B
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT68GA60B
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
IGBT 600V 121A 520W TO-247
สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณในสต็อก:
88675 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days (We have stocks to ship now)
เวลาในการผลิต:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
APT68GA60B.pdf
การสอบสวน

บทนำ

We can supply APT68GA60B, use the request quote form to request APT68GA60B pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT68GA60B.The price and lead time for APT68GA60B depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT68GA60B.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ขนาด

หมายเลขชิ้นส่วนภายใน RO-APT68GA60B
เงื่อนไข Original New
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
การสลักด้านบน email us
การแทนที่ See datasheet
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):600V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:2.5V @ 15V, 40A
ทดสอบสภาพ:400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C:21ns/133ns
การสลับพลังงาน:715µJ (on), 607µJ (off)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-247 [B]
ชุด:POWER MOS 8™
เพาเวอร์ - แม็กซ์:520W
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-247-3
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:29 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
ประเภทขาเข้า:Standard
ประเภท IGBT:PT
ค่าใช้จ่ายประตู:298nC
คำอธิบายโดยละเอียด:IGBT PT 600V 121A 520W Through Hole TO-247 [B]
ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM):202A
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):121A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT68GA60B

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT6M100K Microsemi MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220 การสอบสวน
APT68GA60LD40 Image APT68GA60LD40 Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-264 การสอบสวน
APT70GR65B2SCD30 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO การสอบสวน
APT70GR65B Image APT70GR65B Microsemi IGBT 650V 134A 595W TO-247 การสอบสวน
APT66F60B2 Image APT66F60B2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 การสอบสวน
APT70GR120B2 Image APT70GR120B2 Microsemi IGBT 1200V 160A 961W TO247 การสอบสวน
APT64GA90B2D30 Image APT64GA90B2D30 Microsemi IGBT 900V 117A 500W TO-247 การสอบสวน
APT65GP60L2DQ2G Image APT65GP60L2DQ2G Microsemi IGBT 600V 198A 833W TO264 การสอบสวน
APT70GR120J Image APT70GR120J Microsemi IGBT 1200V 112A 543W SOT227 การสอบสวน
APT70GR65B2DU40 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO การสอบสวน
APT66M60B2 Image APT66M60B2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX การสอบสวน
APT68GA60B2D40 Image APT68GA60B2D40 Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-247 การสอบสวน
APT64GA90LD30 Image APT64GA90LD30 Microsemi IGBT 900V 117A 500W TO-264 การสอบสวน
APT65GP60J Image APT65GP60J Microsemi IGBT 600V 130A 431W SOT227 การสอบสวน
APT66M60L Image APT66M60L Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 การสอบสวน
APT65GP60B2G Image APT65GP60B2G Microsemi IGBT 600V 100A 833W TMAX การสอบสวน
APT64GA90B Image APT64GA90B Microsemi IGBT 900V 117A 500W TO247 การสอบสวน
APT70GR120JD60 Image APT70GR120JD60 Microsemi IGBT 1200V 112A 543W SOT227 การสอบสวน
APT70GR120L Image APT70GR120L Microsemi IGBT 1200V 160A 961W TO264 การสอบสวน
APT66F60L Image APT66F60L Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 การสอบสวน

ข่าว Latest