ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBT - เดี่ยว > APT64GA90LD30
APT64GA90LD30
APT64GA90LD30
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT64GA90LD30
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
IGBT 900V 117A 500W TO-264
สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณในสต็อก:
81032 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days (We have stocks to ship now)
เวลาในการผลิต:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
APT64GA90LD30.pdf
การสอบสวน

บทนำ

We can supply APT64GA90LD30, use the request quote form to request APT64GA90LD30 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT64GA90LD30.The price and lead time for APT64GA90LD30 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT64GA90LD30.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ขนาด

หมายเลขชิ้นส่วนภายใน RO-APT64GA90LD30
เงื่อนไข Original New
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
การสลักด้านบน email us
การแทนที่ See datasheet
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):900V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:3.1V @ 15V, 38A
ทดสอบสภาพ:600V, 38A, 4.7 Ohm, 15V
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C:18ns/131ns
การสลับพลังงาน:1192µJ (on), 1088µJ (off)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-264 [L]
ชุด:POWER MOS 8™
เพาเวอร์ - แม็กซ์:500W
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-264-3, TO-264AA
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:29 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
ประเภทขาเข้า:Standard
ประเภท IGBT:PT
ค่าใช้จ่ายประตู:162nC
คำอธิบายโดยละเอียด:IGBT PT 900V 117A 500W Through Hole TO-264 [L]
ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM):193A
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):117A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT64GA90LD30

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT66M60B2 Image APT66M60B2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX การสอบสวน
APT60S20B2CTG Image APT60S20B2CTG Microsemi DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TMAX การสอบสวน
APT60S20SG/TR Image APT60S20SG/TR Microsemi Corporation DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK การสอบสวน
APT66F60B2 Image APT66F60B2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 การสอบสวน
APT68GA60LD40 Image APT68GA60LD40 Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-264 การสอบสวน
APT66M60L Image APT66M60L Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 การสอบสวน
APT60M80L2VRG Image APT60M80L2VRG Microsemi MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX การสอบสวน
APT60S20SG Image APT60S20SG Microsemi Corporation DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3 การสอบสวน
APT66F60L Image APT66F60L Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 การสอบสวน
APT64GA90B Image APT64GA90B Microsemi IGBT 900V 117A 500W TO247 การสอบสวน
APT60N60SCSG Image APT60N60SCSG Microsemi MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK การสอบสวน
APT65GP60B2G Image APT65GP60B2G Microsemi IGBT 600V 100A 833W TMAX การสอบสวน
APT60S20BG Image APT60S20BG Microsemi DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247 การสอบสวน
APT68GA60B2D40 Image APT68GA60B2D40 Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-247 การสอบสวน
APT60N60SCSG/TR Image APT60N60SCSG/TR Microsemi MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK การสอบสวน
APT65GP60L2DQ2G Image APT65GP60L2DQ2G Microsemi IGBT 600V 198A 833W TO264 การสอบสวน
APT60N60BCSG Image APT60N60BCSG Microsemi MOSFET N-CH 600V 60A TO-247 การสอบสวน
APT65GP60J Image APT65GP60J Microsemi IGBT 600V 130A 431W SOT227 การสอบสวน
APT68GA60B Image APT68GA60B Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-247 การสอบสวน
APT64GA90B2D30 Image APT64GA90B2D30 Microsemi IGBT 900V 117A 500W TO-247 การสอบสวน

ข่าว Latest