Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > EPC2037ENGR
EPC2037ENGR
EPC2037ENGR
Αριθμός εξαρτήματος:
EPC2037ENGR
Κατασκευαστής:
EPC
Περιγραφή:
TRANS GAN 100V BUMPED DIE
Κατάσταση RoHS:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα σε Απόθεμα:
52065 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Χρόνος παραγωγής:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
EPC2037ENGR.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply EPC2037ENGR, use the request quote form to request EPC2037ENGR pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2037ENGR.The price and lead time for EPC2037ENGR depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2037ENGR.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους RO-EPC2037ENGR
Κατάσταση Original New
Προέλευση χώρας Contact us
Κορυφαία σήμανση email us
Αντικατάσταση See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 80µA
Vgs (Max):+6V, -4V
Τεχνολογία:GaNFET (Gallium Nitride)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:Die
Σειρά:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:550 mOhm @ 100mA, 5V
Έκλυση ενέργειας (Max):-
Συσκευασία:Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση:Die
Αλλα ονόματα:917-EPC2037ENGRTR
Θερμοκρασία λειτουργίας:-40°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:12.5pF @ 50V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:0.12nC @ 5V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):100V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 100V 1A (Ta) Surface Mount Die
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:1A (Ta)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για EPC2037ENGR

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
EPC2040 Image EPC2040 EPC MOSFET NCH 15V 3.4A DIE Έρευνα
EPC2033ENGRT Image EPC2033ENGRT EPC TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2039 Image EPC2039 EPC TRANS GAN 80V BUMPED DIE Έρευνα
EPC2034ENGR Image EPC2034ENGR EPC TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2034 Image EPC2034 EPC TRANS GAN 200V 48A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2039ENGRT Image EPC2039ENGRT EPC TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2047ENGRT Image EPC2047ENGRT EPC TRANS GAN 200V BUMPED DIE Έρευνα
EPC2038 Image EPC2038 EPC TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE Έρευνα
EPC2045ENGRT Image EPC2045ENGRT EPC TRANS GAN 100V BUMPED DIE Έρευνα
EPC2033 Image EPC2033 EPC TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE Έρευνα
EPC2034ENGRT Image EPC2034ENGRT EPC TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2037 Image EPC2037 EPC TRANS GAN 100V 550MOHM BUMPED DI Έρευνα
EPC2035 Image EPC2035 EPC TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2046ENGRT Image EPC2046ENGRT EPC TRANS GAN 200V BUMPED DIE Έρευνα
EPC2036ENGRT Image EPC2036ENGRT EPC MOSFET N-CH 100V 1.7A DIE Έρευνα
EPC2040ENGRT Image EPC2040ENGRT EPC TRANS GAN 15V BUMPED DIE Έρευνα
EPC2038ENGR Image EPC2038ENGR EPC TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2036 Image EPC2036 EPC TRANS GAN 100V 1A BUMPED DIE Έρευνα
EPC2040ENGR Image EPC2040ENGR EPC TRANS GAN 25V BUMPED DIE Έρευνα
EPC2033ENGR Image EPC2033ENGR EPC TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE Έρευνα

Latest Ειδήσεις