Suomi
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Meistä | Ota meihin yhteyttä | Pyydä tarjous |
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > EPC2032ENGRT
EPC2032ENGRT
EPC2032ENGRT
Osa numero:
EPC2032ENGRT
Valmistaja:
EPC
Kuvaus:
TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä varastossa:
44091 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tuotantoaika:
4-8 weeks
Tietolomake:
EPC2032ENGRT.pdf
tiedustelu

esittely

We can supply EPC2032ENGRT, use the request quote form to request EPC2032ENGRT pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2032ENGRT.The price and lead time for EPC2032ENGRT depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2032ENGRT.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

tekniset tiedot

Sisäinen osanumero RO-EPC2032ENGRT
Kunto Original New
Maa alkuperä Contact us
Alkuun Merkintä email us
Korvaus See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 11mA
Vgs (Max):+6V, -4V
teknologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Toimittaja Device Package:Die
Sarja:eGaN®
RDS (Max) @ Id, Vgs:4 mOhm @ 30A, 5V
Tehonkulutus (Max):-
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:Die
Muut nimet:917-EPC2032ENGRTR
Käyttölämpötila:-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1530pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):5V
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Yksityiskohtainen kuvaus:N-Channel 100V 48A (Ta) Surface Mount Die
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:48A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit

Aiheeseen liittyvät osat EPC2032ENGRT

Kuva Osa numero valmistajat Kuvaus näkymä
EPC2033ENGR Image EPC2033ENGR EPC TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2030ENGR Image EPC2030ENGR EPC TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2034 Image EPC2034 EPC TRANS GAN 200V 48A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2031ENGR Image EPC2031ENGR EPC TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2034ENGR Image EPC2034ENGR EPC TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2030ENGRT Image EPC2030ENGRT EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE tiedustelu
EPC2036ENGRT Image EPC2036ENGRT EPC MOSFET N-CH 100V 1.7A DIE tiedustelu
EPC2032ENGR Image EPC2032ENGR EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2035 Image EPC2035 EPC TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2029ENGR Image EPC2029ENGR EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2030 Image EPC2030 EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE tiedustelu
EPC2029ENGRT Image EPC2029ENGRT EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2036 Image EPC2036 EPC TRANS GAN 100V 1A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2033ENGRT Image EPC2033ENGRT EPC TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2037 Image EPC2037 EPC TRANS GAN 100V 550MOHM BUMPED DI tiedustelu
EPC2032 Image EPC2032 EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2033 Image EPC2033 EPC TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE tiedustelu
EPC2031ENGRT Image EPC2031ENGRT EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE tiedustelu
EPC2034ENGRT Image EPC2034ENGRT EPC TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE tiedustelu
EPC2031 Image EPC2031 EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE tiedustelu

Latest News