русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > EPC2021ENG
EPC2021ENG
EPC2021ENG
Тип продуктов:
EPC2021ENG
производитель:
EPC
Описание:
TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
RoHS Статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
53344 Pieces
Срок поставки:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Сроки изготовления:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
EPC2021ENG.pdf
запрос

Введение

We can supply EPC2021ENG, use the request quote form to request EPC2021ENG pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2021ENG.The price and lead time for EPC2021ENG depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2021ENG.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Внутренний номер детали RO-EPC2021ENG
Состояние Original New
Страна происхождения Contact us
Топ маркировки email us
замена See datasheet
Напряжение - испытания:1700pF @ 40V
Напряжение - Разбивка:Die
Vgs (й) (Max) @ Id:2.5 mOhm @ 29A, 5V
Технологии:GaNFET (Gallium Nitride)
Серии:eGaN®
Статус RoHS:Tray
Rds On (Max) @ Id, Vgs:60A (Ta)
поляризация:Die
Другие названия:917-EPC2021ENG
EPC2021ENGRB3
Рабочая Температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Уровень влажности (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:22 Weeks
Номер детали производителя:EPC2021ENG
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:15nC @ 5V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:2.5V @ 14mA
FET Характеристика:N-Channel
Расширенное описание:N-Channel 80V 60A (Ta) Surface Mount Die
Слить к источнику напряжения (VDSS):-
Описание:TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:80V
Коэффициент емкости:-
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для EPC2021ENG

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
EPC2024ENG Image EPC2024ENG EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE запрос
EPC2019ENG Image EPC2019ENG EPC TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE запрос
EPC2016 Image EPC2016 EPC TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE запрос
EPC2020 Image EPC2020 EPC TRANS GAN 60V 90A BUMPED DIE запрос
EPC2021ENGR Image EPC2021ENGR EPC TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE запрос
EPC2023ENG Image EPC2023ENG EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE запрос
EPC2020ENG Image EPC2020ENG EPC TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE запрос
EPC2024ENGR Image EPC2024ENGR EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE запрос
EPC2023ENGR Image EPC2023ENGR EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE запрос
EPC2023 Image EPC2023 EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE запрос
EPC2015CENGR Image EPC2015CENGR EPC TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE запрос
EPC2025 EPC TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE запрос
EPC2020ENGR Image EPC2020ENGR EPC TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE запрос
EPC2021 Image EPC2021 EPC TRANS GAN 80V 90A BUMPED DIE запрос
EPC2022 Image EPC2022 EPC TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE запрос
EPC2022ENGRT Image EPC2022ENGRT EPC TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE запрос
EPC2016C Image EPC2016C EPC TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE запрос
EPC2019 Image EPC2019 EPC TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE запрос
EPC2018 Image EPC2018 EPC TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE запрос
EPC2024 Image EPC2024 EPC MOSFET NCH 40V 60A DIE запрос

Latest Новости