Български език
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
За нас | Свържете се с нас | Заявете оферта |
У дома > Продукти > Дискретни полупроводникови продукти > Транзистори - FETs, MOSFETs - единични > EPC2021ENG
EPC2021ENG
EPC2021ENG
Номер на частта:
EPC2021ENG
Производител:
EPC
описание:
TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
Статус на RoHS:
Без олово / RoHS съвместим
Количество на склад:
53344 Pieces
Време за доставка:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Време за производство:
4-8 weeks
Информационен лист:
EPC2021ENG.pdf
Разследване

Въведение

We can supply EPC2021ENG, use the request quote form to request EPC2021ENG pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2021ENG.The price and lead time for EPC2021ENG depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2021ENG.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификации

Вътрешен номер на част RO-EPC2021ENG
състояние Original New
Произход на страната Contact us
Най-висока маркировка email us
Замяна See datasheet
Изпитване на напрежение:1700pF @ 40V
Напрежение - Разбивка:Die
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5 mOhm @ 29A, 5V
технология:GaNFET (Gallium Nitride)
серия:eGaN®
Състояние на RoHS:Tray
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs:60A (Ta)
поляризация:Die
Други имена:917-EPC2021ENG
EPC2021ENGRB3
Работна температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж:Surface Mount
Ниво на чувствителност към влага (MSL):1 (Unlimited)
Производител Стандартно време за доставка:22 Weeks
Номер на частта на производителя:EPC2021ENG
Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds:15nC @ 5V
Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs:2.5V @ 14mA
FET Feature:N-Channel
Разширено описание:N-Channel 80V 60A (Ta) Surface Mount Die
Изтичане към източника на напрежение (Vdss):-
описание:TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C:80V
Съотношение на капацитета:-
Email:[email protected]

Бързо заявка за оферта

Номер на частта
количество
Компания
Електронна поща
телефон
Коментари

Свързани части за EPC2021ENG

Изображение Номер на частта Производители описание изглед
EPC2024ENG Image EPC2024ENG EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE Разследване
EPC2019ENG Image EPC2019ENG EPC TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE Разследване
EPC2016 Image EPC2016 EPC TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE Разследване
EPC2020 Image EPC2020 EPC TRANS GAN 60V 90A BUMPED DIE Разследване
EPC2021ENGR Image EPC2021ENGR EPC TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE Разследване
EPC2023ENG Image EPC2023ENG EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE Разследване
EPC2020ENG Image EPC2020ENG EPC TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE Разследване
EPC2024ENGR Image EPC2024ENGR EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE Разследване
EPC2023ENGR Image EPC2023ENGR EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE Разследване
EPC2023 Image EPC2023 EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE Разследване
EPC2015CENGR Image EPC2015CENGR EPC TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE Разследване
EPC2025 EPC TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE Разследване
EPC2020ENGR Image EPC2020ENGR EPC TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE Разследване
EPC2021 Image EPC2021 EPC TRANS GAN 80V 90A BUMPED DIE Разследване
EPC2022 Image EPC2022 EPC TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE Разследване
EPC2022ENGRT Image EPC2022ENGRT EPC TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE Разследване
EPC2016C Image EPC2016C EPC TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE Разследване
EPC2019 Image EPC2019 EPC TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE Разследване
EPC2018 Image EPC2018 EPC TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE Разследване
EPC2024 Image EPC2024 EPC MOSFET NCH 40V 60A DIE Разследване

Latest News