Numéro de pièce interne | RO-EPC2021ENG |
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État | Original New |
Pays d'origine | Contact us |
Top Marking | email us |
Remplacement | See datasheet |
Tension - Test: | 1700pF @ 40V |
Tension - Ventilation: | Die |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5 mOhm @ 29A, 5V |
La technologie: | GaNFET (Gallium Nitride) |
Séries: | eGaN® |
État RoHS: | Tray |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 60A (Ta) |
Polarisation: | Die |
Autres noms: | 917-EPC2021ENG EPC2021ENGRB3 |
Température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 22 Weeks |
Référence fabricant: | EPC2021ENG |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 15nC @ 5V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.5V @ 14mA |
Fonction FET: | N-Channel |
Description élargie: | N-Channel 80V 60A (Ta) Surface Mount Die |
Tension drain-source (Vdss): | - |
La description: | TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 80V |
Ratio de capacité: | - |
Email: | [email protected] |