JDP2S12CR(TE85L,Q
- Modelo do Produto:
- JDP2S12CR(TE85L,Q
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição:
- DIODE PIN 180V 1A S-FLAT
- Status de RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 43240 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempo de produção:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- JDP2S12CR(TE85L,Q.pdf
Introdução
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Especificações
| Número de peça interno | RO-JDP2S12CR(TE85L,Q |
|---|---|
| Condição | Original New |
| País de origem | Contact us |
| Marcação superior | email us |
| Substituição | See datasheet |
| Tensão - Pico Reversa (Max): | 180V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | S-FLAT (1.6x3.5) |
| Série: | - |
| Resistência @ Se, F: | 700 mOhm @ 10mA, 100MHz |
| Embalagem: | Cut Tape (CT) |
| Caixa / Gabinete: | SOD-123F |
| Outros nomes: | JDP2S12CR(TE85LQ)CT JDP2S12CR(TE85LQ)CT-ND JDP2S12CR(TE85LQCT JDP2S12CR(TE85LQMCT JDP2S12CR(TE85LQMCT-ND |
| Temperatura de operação: | 175°C (TJ) |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo Diode: | PIN - Single |
| Descrição detalhada: | RF Diode PIN - Single 180V 1A S-FLAT (1.6x3.5) |
| Atual - Max: | 1A |
| Capacitância @ Vr, F: | 1.3pF @ 40V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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