JDP2S12CR(TE85L,Q
- Número de pieza:
- JDP2S12CR(TE85L,Q
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descripción:
- DIODE PIN 180V 1A S-FLAT
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 43240 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- JDP2S12CR(TE85L,Q.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-JDP2S12CR(TE85L,Q |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| Tensión - inversa de pico (máxima): | 180V |
| Paquete del dispositivo: | S-FLAT (1.6x3.5) |
| Serie: | - |
| Resistencia @ Si, F: | 700 mOhm @ 10mA, 100MHz |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | SOD-123F |
| Otros nombres: | JDP2S12CR(TE85LQ)CT JDP2S12CR(TE85LQ)CT-ND JDP2S12CR(TE85LQCT JDP2S12CR(TE85LQMCT JDP2S12CR(TE85LQMCT-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | 175°C (TJ) |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo: | PIN - Single |
| Descripción detallada: | RF Diode PIN - Single 180V 1A S-FLAT (1.6x3.5) |
| Corriente - Max: | 1A |
| Capacitancia Vr, F: | 1.3pF @ 40V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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