JDP2S12CR(TE85L,Q
- Modèle de produit:
- JDP2S12CR(TE85L,Q
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- DIODE PIN 180V 1A S-FLAT
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 43240 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- JDP2S12CR(TE85L,Q.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-JDP2S12CR(TE85L,Q |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Tension - Inverse de crête (max): | 180V |
| Package composant fournisseur: | S-FLAT (1.6x3.5) |
| Séries: | - |
| Résistance @ Si, F: | 700 mOhm @ 10mA, 100MHz |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | SOD-123F |
| Autres noms: | JDP2S12CR(TE85LQ)CT JDP2S12CR(TE85LQ)CT-ND JDP2S12CR(TE85LQCT JDP2S12CR(TE85LQMCT JDP2S12CR(TE85LQMCT-ND |
| Température de fonctionnement: | 175°C (TJ) |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode: | PIN - Single |
| Description détaillée: | RF Diode PIN - Single 180V 1A S-FLAT (1.6x3.5) |
| Courant - Max: | 1A |
| Capacité à Vr, F: | 1.3pF @ 40V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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