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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > IMD23T108
IMD23T108
Modelo do Produto:
IMD23T108
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC74
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
65762 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
IMD23T108.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-IMD23T108
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 50mA, 2.5mA, 300mV @ 10mA, 500µA
Tipo transistor:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SMT6
Série:-
Resistor - Base do Emissor (R2):10 kOhms, 10 kOhms
Resistor - Base (R1):1 kOhms, 10 kOhms
Power - Max:300mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-74, SOT-457
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:200MHz, 250MHz
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA, 500mA 200MHz, 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:56 @ 50mA, 5V, 30 @ 5mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):-
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA, 500mA
Email:[email protected]

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