AS6C2008-55BIN
Modelo do Produto:
AS6C2008-55BIN
Fabricante:
Alliance Memory, Inc.
Descrição:
IC SRAM 2M PARALLEL 36TFBGA
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
75114 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
AS6C2008-55BIN.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-AS6C2008-55BIN
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página:55ns
Tensão - Fornecimento:2.7 V ~ 3.6 V
Tecnologia:SRAM - Asynchronous
Embalagem do dispositivo fornecedor:36-TFBGA (6x8)
Série:-
Embalagem:Tray
Caixa / Gabinete:36-TFBGA
Outros nomes:1450-1171
AS6C2008-55BIN-ND
Temperatura de operação:-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):3 (168 Hours)
Tipo de memória:Volatile
Tamanho da memória:2Mb (256K x 8)
Interface de memória:Parallel
Formato de memória:SRAM
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada:SRAM - Asynchronous Memory IC 2Mb (256K x 8) Parallel 55ns 36-TFBGA (6x8)
Tempo de acesso:55ns
Email:[email protected]

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