Αριθμός εσωτερικού μέρους | RO-AS6C2008-55BIN |
---|---|
Κατάσταση | Original New |
Προέλευση χώρας | Contact us |
Κορυφαία σήμανση | email us |
Αντικατάσταση | See datasheet |
Γράψτε χρόνο κύκλου - Word, Page: | 55ns |
Τάσης - Προμήθεια: | 2.7 V ~ 3.6 V |
Τεχνολογία: | SRAM - Asynchronous |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 36-TFBGA (6x8) |
Σειρά: | - |
Συσκευασία: | Tray |
Συσκευασία / υπόθεση: | 36-TFBGA |
Αλλα ονόματα: | 1450-1171 AS6C2008-55BIN-ND |
Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 85°C (TA) |
τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 3 (168 Hours) |
Τύπος μνήμης: | Volatile |
Μέγεθος μνήμης: | 2Mb (256K x 8) |
Διασύνδεση μνήμης: | Parallel |
Μορφή μνήμης: | SRAM |
Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 8 Weeks |
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Λεπτομερής περιγραφή: | SRAM - Asynchronous Memory IC 2Mb (256K x 8) Parallel 55ns 36-TFBGA (6x8) |
Χρόνος πρόσβασης: | 55ns |
Email: | [email protected] |