Número de parte interno | RO-AS6C2008-55BIN |
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Condición | Original New |
País de origen | Contact us |
Marcado superior | email us |
Reemplazo | See datasheet |
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | 55ns |
Suministro de voltaje: | 2.7 V ~ 3.6 V |
Tecnología: | SRAM - Asynchronous |
Paquete del dispositivo: | 36-TFBGA (6x8) |
Serie: | - |
embalaje: | Tray |
Paquete / Cubierta: | 36-TFBGA |
Otros nombres: | 1450-1171 AS6C2008-55BIN-ND |
Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
Tipo de memoria: | Volatile |
Tamaño de la memoria: | 2Mb (256K x 8) |
Interfaz de memoria: | Parallel |
Formato de memoria: | SRAM |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 8 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Descripción detallada: | SRAM - Asynchronous Memory IC 2Mb (256K x 8) Parallel 55ns 36-TFBGA (6x8) |
Tiempo de acceso: | 55ns |
Email: | [email protected] |