AS6C2008-55BIN
Modèle de produit:
AS6C2008-55BIN
Fabricant:
Alliance Memory, Inc.
La description:
IC SRAM 2M PARALLEL 36TFBGA
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
75114 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
AS6C2008-55BIN.pdf

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-AS6C2008-55BIN
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Écrire le temps de cycle - Word, Page:55ns
Tension - Alimentation:2.7 V ~ 3.6 V
La technologie:SRAM - Asynchronous
Package composant fournisseur:36-TFBGA (6x8)
Séries:-
Emballage:Tray
Package / Boîte:36-TFBGA
Autres noms:1450-1171
AS6C2008-55BIN-ND
Température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Volatile
Taille mémoire:2Mb (256K x 8)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:SRAM
Délai de livraison standard du fabricant:8 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:SRAM - Asynchronous Memory IC 2Mb (256K x 8) Parallel 55ns 36-TFBGA (6x8)
Temps d'accès:55ns
Email:[email protected]

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