SI5857DU-T1-GE3
- Part Number:
- SI5857DU-T1-GE3
- Producent:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Opis:
- MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
- Status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Ilość w magazynie:
- 65148 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Czas produkcji:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SI5857DU-T1-GE3.pdf
Wprowadzenie
We can supply SI5857DU-T1-GE3, use the request quote form to request SI5857DU-T1-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SI5857DU-T1-GE3.The price and lead time for SI5857DU-T1-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SI5857DU-T1-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Specyfikacje
| Wewnętrzny numer części | RO-SI5857DU-T1-GE3 |
|---|---|
| Stan | Original New |
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Najlepsze oznaczanie | email us |
| Zastąpienie | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (maks.): | ±12V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | PowerPAK® ChipFet Dual |
| Seria: | LITTLE FOOT® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 58 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| Strata mocy (max): | 2.3W (Ta), 10.4W (Tc) |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 480pF @ 10V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 17nC @ 10V |
| Rodzaj FET: | P-Channel |
| Cecha FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 20V |
| szczegółowy opis: | P-Channel 20V 6A (Tc) 2.3W (Ta), 10.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SI5857DU-T1-GE3
Latest Aktualności
- Toshiba uruchamia IC Stern Series Series Series z wbudowanym mikrokontrolerem
- Adi wdrażanie zestawu sambanova, promując formułę produkcyjną AI w celu osiągnięcia przełomu na poziomie przedsiębiorstw
- Honeywell i Adi połączyli ręce, aby promować innowacje i zmianę automatyzacji budynku
- Maxim ogłosił premierę
- Maxim uruchamia CAR DC-DC Converter MAX16984, samochód ze zintegrowanymi wyliczającymi ładunki USB
- Renesas Electronics uruchamia pierwszego programowalnego sterownika elektrycznego w branży IC
- Renesas wprowadził pierwszą generację 32-bitowego jądra procesora RISC-V
- Vishay uruchomił nowe sprzężenie światła o niskiej mocy 10 MBD, tak niskie jak 5 mA, zakres napięcia wynosi od 2,7 V do 5,5 V
- Melexis uruchomił nowe inteligentne rozwiązywanie zmian w celu zintegrowania niezawodnego bezpieczeństwa
- Toshiba opracował pierwszy w branży moduł MOSFET 2200 V MOSFET, aby pomóc w wydajnej i miniaturyzacji sprzętu przemysłowego
- Zbliża się era DDR5, a nowych wyzwań nie można zignorować
- Renesas otwiera następną mapę trasy samochodowej i procesora MCU