Toshiba Electronic Component and Storage Device Co., Ltd. („Toshiba”) ogłosiło dziś, że moduł MOSFET (SIC) MOSFET (SIC) MOSFET-„MG250YD2YMS3”.Nowy moduł wykorzystuje układ Toshiba SIC MOSFET. Jego wartość znamionowa (DC) wynosi 250A. Jest odpowiedni do zastosowania DC 1500V dla systemów wytwarzania energii fotowoltaicznej i systemów magazynowania energii.Produkt zaczął dziś wspierać przesyłki wsadowe.

Powyższe zastosowania przemysłowe zwykle wykorzystują DC 1000 V lub niższą energię, a ich urządzenia energetyczne to głównie produkty 1200 V lub 1700 V.Oczekuje się jednak, że DC 1500V będzie szeroko stosowane w ciągu najbliższych kilku lat, więc Toshiba wydał pierwsze produkty w branży 2200 V.

MG250YD2YMS3 ma niskie napięcie ołowiu (czujnik) niskiego poziomu upływu (czujnika) pręta o niskim poziomie upływu (czujnik) strat o niskim guku i 0,7 V (typowe wartości) [2].Ponadto ma również niskie straty otwarcia i wyłączania, które wynoszą 14 mJ (typowe wartości) [3] i 11mJ (typowe wartości) [3]. W porównaniu z typowym krzemem (SI) IGBT, wynosi około 90%[ 4].Te cechy pomagają poprawić wydajność sprzętu.Ponieważ MG250YD2YMS3 może osiągnąć niższą stratę przełączania, użytkownicy mogą używać niewielkiej liczby płaskich obwodów z niewielką liczbą modułów, aby zastąpić tradycyjny obwód trzech poziomów, który pomaga zminiaturyzować urządzenie.

Toshiba będzie nadal wprowadzać innowacje i nadal zaspokoić zapotrzebowanie rynku na wysoką wydajność i miniaturyzację sprzętu przemysłowego.

aplikacja:

Sprzęt przemysłowy

-System wytwarzania energii energii odnawialnej (system wytwarzania energii fotowoltaicznej itp.)

-System przechowywania energii

-Che Sprzęt kontroli sprzętu przemysłowego

-Konwerter DC-DC o wysokiej częstotliwości i inne urządzenia

Charakterystyka:

-Niski szczelinowy napięcie kierunku bieguna (czujnik):

VDS (ON) sens = 0,7 V (typowa wartość) (id = 250a, vgs = + 20v, tch = 25 ℃)

-Nie straty niskiej otwarcia:

Eon = 14mj (typowa wartość) (VDD = 1100 V, ID = 250A, TCH = 150 ° C)

-Strata odłączania niskiego poziomu:

EOFF = 11MJ (typowa wartość) (VDD = 1100 V, ID = 250A, TCH = 150 ° C)

-Niska indukcyjność pasożytnicza:

LSPN = 12NH (typowa wartość)