Αριθμός εσωτερικού μέρους | RO-SI5857DU-T1-GE3 |
---|---|
Κατάσταση | Original New |
Προέλευση χώρας | Contact us |
Κορυφαία σήμανση | email us |
Αντικατάσταση | See datasheet |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±12V |
Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | PowerPAK® ChipFet Dual |
Σειρά: | LITTLE FOOT® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 58 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
Έκλυση ενέργειας (Max): | 2.3W (Ta), 10.4W (Tc) |
Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
Συσκευασία / υπόθεση: | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 480pF @ 10V |
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 17nC @ 10V |
FET Τύπος: | P-Channel |
FET Χαρακτηριστικό: | Schottky Diode (Isolated) |
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 20V |
Λεπτομερής περιγραφή: | P-Channel 20V 6A (Tc) 2.3W (Ta), 10.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual |
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 6A (Tc) |
Email: | [email protected] |