Toshiba Electronic Component and Storage Device Co., Ltd. ( "Toshiba")는 오늘 4 핀 TO-247-4L (X) 4 핀의 발사가 스위칭 손실 (SIC) MOSFET- "TWXXZXXXXX를 줄이는 데 도움이되는 4 핀 포장을 발표했다고 발표했습니다. 시리즈 "이 제품은 Toshiba의 최신 [1] 3 세대 실리콘 카바이드 MOSFET 칩을 사용하여 산업 장비 응용 프로그램을 지원합니다.이 시리즈의 5 가지 정격 전압은 650V이고, 다른 5 개의 정격 전압은 1200V이며 10 개의 제품이 오늘 배치로 배송되기 시작했습니다.

신제품은 Toshiba Silicon Carbide MOSFET 제품 라인에서 4 핀 TO-247-4L (X) 포장을 사용하는 제품의 첫 번째 제품 배치입니다. 포장은 Kelvin 연결을 극도로 사용하는 그리드 드라이브 신호 소스를 지원합니다. 포장 내인성 라인의 내인성 라인을 감소 시키면 유도의 영향으로 높은 속도의 스위칭 성능이 향상됩니다.Toshiba의 현재 3 핀 TO-247 제품 TW045N120C와 비교하여, 새로운 TW045Z120C의 개방 손실은 약 40%감소했으며, 음성 손실은 약 34%감소했습니다 [2].이러한 개선은 장비 전력 손실을 줄이는 데 도움이됩니다.

SIC MOSFET을 사용한 3 단계 인버터의 기준 설계는 Toshiba의 공식 웹 사이트에서 출시되었습니다.

Toshiba는 자체 제품 라인을 계속 확장하고 시장 동향을 더욱 충족하며 사용자가 장비 효율성을 향상시키고 전력 용량을 확장 할 수 있도록 도와줍니다.

새 SIC MOSFET 3 상 인버터를 사용하십시오

SIC MOSFET의 3 상 인버터를 사용하십시오

간단한 향기

애플리케이션:

-스위치 전원 공급 장치 (서버, 데이터 센터, 통신 장비 등)

-전기 자동차 충전소

-Helvo 인버터

-건조성 전원 공급 장치 (UPS)

특성:

-4 핀 TO-247-4L (X) 포장 :

그리드 드라이브 신호 소스는 켈빈 연결을 극도로 사용하여 스위치 손실을 줄일 수 있습니다.

-3 세대 실리콘 카바이드 MOSFET

-낮은 리커리지 소스 드라이브 저항 × 그리드 누출 충전

-낮은 다이오드 전방 전압 : vdsf = -1.35v (일반 값) (vgs = -5v)