Toshiba Electronic Component and Storage Device Co.、Ltd。（ "Toshiba"）は本日、4ピンto-247-4L（x）パッケージの発売により、スイッチング損失（sic）mosfet- "twxxxzxxxxcccを減らすのに役立つ4ピンのパッケージングが発売されることを発表しました。シリーズ「この製品は、東芝の最新の[1]第3世代の炭化シリコンMOSFETチップを使用して、産業機器アプリケーションをサポートしています。このシリーズの5つの定格電圧は650Vで、他の5つの定格電圧は1200Vです。10個の製品が今日バッチで出荷され始めています。

新製品は、東芝シリコンシリコン炭化物MOSFET製品ラインの製品の最初のバッチであり、247-4L（X）パッケージに4つのピンを使用します。そのパッケージは、グリッドドライブ信号ソースをサポートし、ケルビン接続の極端な使用に役立ちます。パッケージング内生線の内因性ラインを減らして、インダクタンスの影響を受けて、高い速度スイッチング性能を改善します。東芝の現在の3ピンTo-247製品TW045N120Cと比較して、新しいTW045Z120Cの開口損失は約40％減少し、負の損失は約34％減少します[2]。この改善は、機器の電力損失を減らすのに役立ちます。

SIC MOSFETを使用した3相インバーターの参照設計は、東芝の公式ウェブサイトでリリースされています。

東芝は、独自の製品ラインを拡大し続け、市場動向をさらに満たし、ユーザーが機器の効率を向上させ、電力容量を拡大するのに役立ちます。

新しいSIC MOSFET 3フェーズインバーターを使用します

SIC MOSFETの3フェーズインバーターを使用します

シンプルな香り

応用：

-Switzer電源（サーバー、データセンター、通信機器など）

- 電気自動車充電ステーション

-helvoインバーター

-Sustive Power Supply（UPS）

特性：

-4ピンTO-247-4L（x）パッケージ：

グリッドドライブ信号のソースは、ケルビン接続を非常に使用しており、スイッチ損失を減らすことができます

-AN 3世代炭化シリコンMOSFET

- 低リリークソースドライブ抵抗×グリッドリークチャージ

- 低ダイオードフォワード電圧：VDSF = -1.35V（典型的な値）（VGS = -5V）