Toshiba Electronic Component and Storage Device Co., Ltd. ("Toshiba") anunció hoy que el lanzamiento de un empaque de 4 pines a 247-4L (x) de 4 pines que ayudan a reducir la pérdida de conmutación (SIC) MOSFET- "TWXXXXXXXXC Serie "Este producto utiliza el último chip MOSFET de carburo de silicio de tercera generación de Toshiba para admitir aplicaciones de equipos industriales.El voltaje de cinco clasificaciones en esta serie es de 650V, y el otro voltaje nominal es de 1200V. Diez productos han comenzado a enviarse en lotes hoy.

El nuevo producto es el primer lote de productos en la línea de productos Toshiba Silicon Carbide MOSFET MOSFET para usar 4 pines TO-247-4L (X) Embalaje. Su embalaje admite la fuente de señal de unidad de cuadrícula para el uso extremo de la conexión Kelvin, lo que ayudará Reduzca las líneas endógenas de la línea endógena de envasado La influencia de las inductancias, mejorando así el rendimiento de conmutación de alta velocidad.En comparación con el producto actual TW045N120C de 3 pines a 247 de Toshiba, la pérdida de apertura del nuevo TW045Z120C se ha reducido en aproximadamente un 40%, y la pérdida negativa se reduce en aproximadamente un 34%[2].Esta mejora ayuda a reducir la pérdida de energía del equipo.

El diseño de referencia del inversor de 3 fases utilizando SIC MOSFET se ha lanzado en el sitio web oficial de Toshiba.

Toshiba continuará expandiendo su propia línea de productos, cumplirá aún más las tendencias del mercado y ayudará a los usuarios a mejorar la eficiencia del equipo y expandir la capacidad de energía.

Use el nuevo inversor de 3 fases SIC MOSFET

Use el inversor 3 fase de Sic Mosfet

Fragancia simple

solicitud:

-Lauga de alimentación de Switzer (servidor, centro de datos, equipos de comunicación, etc.)

-La estación de carga del vehículo eléctrico

-Helvo inversor

-En suministro de energía suctil (UPS)

característica:

-4 Pin a-247-4L (x) Embalaje:

La fuente de señal de unidad de cuadrícula usa extremadamente la conexión Kelvin, que puede reducir la pérdida de interruptor

-An 3 -generación de silicio de silicio MOSFET

-El Cargo por fuga de la fuga de fuentes de baja reducción × carga de fuga de la cuadrícula

-El voltaje de avance de diodo bajo: VDSF = -1.35V (valor típico) (vgs = -5v)