Η Electronic Component and Storage Device Co. Toshiba, Ltd. ("Toshiba") ανακοίνωσε σήμερα ότι η εκτόξευση μιας συσκευασίας 4 ακίδων TO-247-4L (x) που συμβάλλουν στη μείωση της απώλειας μεταγωγής (sic) MOSFET- "TWXXXZXXXC Σειρά "Αυτό το προϊόν χρησιμοποιεί το τελευταίο τσιπ Mosfet του Toshiba για την υποστήριξη εφαρμογών βιομηχανικού εξοπλισμού.Η πέντε ονομαστική τάση σε αυτή τη σειρά είναι 650V και οι άλλες πέντε ονομαστικές τάσεις είναι 1200V. Δέκα προϊόντα έχουν αρχίσει να μεταφέρουν σε παρτίδες σήμερα.

Το νέο προϊόν είναι η πρώτη παρτίδα προϊόντων στο Toshiba Silicon Carbide MOSFET σειρά προϊόντων για να χρησιμοποιήσετε 4 ακροδέκτες για συσκευασία 47-4L (x). Η συσκευασία του υποστηρίζει την πηγή σήματος πλέγματος στην ακραία χρήση της σύνδεσης Kelvin, η οποία θα βοηθήσει Μειώστε τις ενδογενείς γραμμές της ενδογενούς γραμμής συσκευασίας Η επίδραση των επαγωγών, βελτιώνοντας έτσι την απόδοση της ταχύτητας υψηλής ταχύτητας.Σε σύγκριση με το σημερινό προϊόν TOSHIBA 3-PIN TO-247 TW045N120C, η απώλεια ανοίγματος του νέου TW045Z120C μειώθηκε κατά περίπου 40%και η αρνητική απώλεια μειώνεται κατά περίπου 34%[2].Αυτή η βελτίωση συμβάλλει στη μείωση της απώλειας ισχύος του εξοπλισμού.

Ο σχεδιασμός αναφοράς του 3 -φάσης μετατροπέα χρησιμοποιώντας το SIC MOSFET έχει κυκλοφορήσει στην επίσημη ιστοσελίδα της Toshiba.

Η Toshiba θα συνεχίσει να επεκτείνει τη δική της σειρά προϊόντων, να ανταποκριθεί περαιτέρω τις τάσεις της αγοράς και να βοηθήσει τους χρήστες να βελτιώσουν την αποτελεσματικότητα του εξοπλισμού και να επεκτείνουν την ικανότητα ισχύος.

Χρησιμοποιήστε το νέο μετατροπέα SIC MOSFET 3 -Φάσης

Χρησιμοποιήστε τον μετατροπέα 3 -φάσης του SIC MOSFET

Απλό άρωμα

εφαρμογή:

-Switzer τροφοδοσία (διακομιστής, κέντρο δεδομένων, εξοπλισμός επικοινωνίας κ.λπ.)

-Το σταθμό φόρτισης ηλεκτρικού οχήματος

-μετατροπέας Helvo

-Πρακτική παροχή ρεύματος (UPS)

χαρακτηριστικό γνώρισμα:

-4 PIN TO-247-4L (x) Συσκευασία:

Η πηγή σήματος πλέγματος χρησιμοποιεί εξαιρετικά τη σύνδεση Kelvin, η οποία μπορεί να μειώσει την απώλεια του διακόπτη

-Με 3 -γενεαλογικό καρβίδιο πυριτίου MOSFET

-Το χαμηλής τιμής κίνησης πηγής × Λήψη διαρροής πλέγματος

-Το χαμηλή τάση προς τα εμπρός: VDSF = -1.35V (τυπική τιμή) (VGS = -5V)