RGTH00TS65DGC11
RGTH00TS65DGC11
제품 모델:
RGTH00TS65DGC11
제조사:
LAPIS Semiconductor
기술:
IGBT 650V 85A 277W TO-247N
RoHS 현황:
무연 / RoHS 준수
수량 재고 있음:
47550 Pieces
배달 시간:
1-2 days (We have stocks to ship now)
생산 시간:
4-8 weeks
데이터 시트:
1.RGTH00TS65DGC11.pdf2.RGTH00TS65DGC11.pdf

소개

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규격

내부 부품 번호 RO-RGTH00TS65DGC11
조건 Original New
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전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):650V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대):2.1V @ 15V, 50A
시험 조건:400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Td (온 / 오프) @ 25 ° C:39ns/143ns
에너지 전환:-
제조업체 장치 패키지:TO-247N
연속:-
역 회복 시간 (trr):54ns
전력 - 최대:277W
포장:Tube
패키지 / 케이스:TO-247-3
작동 온도:-40°C ~ 175°C (TJ)
실장 형:Through Hole
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:15 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 유형:Standard
IGBT 유형:Trench Field Stop
게이트 충전:94nC
상세 설명:IGBT Trench Field Stop 650V 85A 277W Through Hole TO-247N
전류 - 콜렉터 펄스 (ICM):200A
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):85A
Email:[email protected]

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