RGTH00TS65DGC11
RGTH00TS65DGC11
Modèle de produit:
RGTH00TS65DGC11
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
IGBT 650V 85A 277W TO-247N
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
47550 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.RGTH00TS65DGC11.pdf2.RGTH00TS65DGC11.pdf

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-RGTH00TS65DGC11
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.1V @ 15V, 50A
Condition de test:400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:39ns/143ns
énergie de commutation:-
Package composant fournisseur:TO-247N
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):54ns
Puissance - Max:277W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Température de fonctionnement:-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:15 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:Trench Field Stop
gate charge:94nC
Description détaillée:IGBT Trench Field Stop 650V 85A 277W Through Hole TO-247N
Courant - Collecteur pulsée (Icm):200A
Courant - Collecteur (Ic) (max):85A
Email:[email protected]

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