RGTH00TS65DGC11
RGTH00TS65DGC11
部品型番:
RGTH00TS65DGC11
メーカー:
LAPIS Semiconductor
説明:
IGBT 650V 85A 277W TO-247N
RoHSステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
47550 Pieces
配達時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生産時間:
4-8 weeks
データシート:
1.RGTH00TS65DGC11.pdf2.RGTH00TS65DGC11.pdf

簡潔な

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規格

内部モデル RO-RGTH00TS65DGC11
状況 Original New
原産国 Contact us
トップマーク email us
代替案 See datasheet
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):650V
VGE、Icを@ VCE(上)(最大):2.1V @ 15V, 50A
試験条件:400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Td(オン/オフ)@ 25℃:39ns/143ns
エネルギーの切り替え:-
サプライヤデバイスパッケージ:TO-247N
シリーズ:-
逆回復時間(trrの):54ns
電力 - 最大:277W
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-247-3
運転温度:-40°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:15 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力タイプ:Standard
IGBTタイプ:Trench Field Stop
ゲートチャージ:94nC
詳細な説明:IGBT Trench Field Stop 650V 85A 277W Through Hole TO-247N
電流 - コレクタパルス(ICM):200A
電流 - コレクタ(Ic)(Max):85A
Email:[email protected]

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